Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > SI4670DY-T1-E3
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
6744608

SI4670DY-T1-E3

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$1.41
10+
$1.248
100+
$0.987
500+
$0.765
1000+
$0.604
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    SI4670DY-T1-E3
  • Изготовитель / Производитель
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    SI4670DY-T1-E3.pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Поставщик Упаковка устройства
    8-SO
  • Серии
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    23 mOhm @ 7A, 10V
  • Мощность - Макс
    2.8W
  • упаковка
    Original-Reel®
  • Упаковка /
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Другие названия
    SI4670DY-T1-E3DKR
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    27 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    680pF @ 13V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    18nC @ 10V
  • Тип FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET Характеристика
    Logic Level Gate
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    25V
  • Подробное описание
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 8A 2.8W Surface Mount 8-SO
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    8A
  • Номер базового номера
    SI4670

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15

Amazon увеличивает усилия по созда...

2024/11/14

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Южная Корея планирует ввести За...

2024/11/13
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с SI4670DY-T1-E3.
SI4682-A10-GDR

SI4682-A10-GDR

Описание: IC RADIO RX ANLG/DGTL 62WLCSP

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
RFQ
SI4683-A10-GMR

SI4683-A10-GMR

Описание: IC ANLG/DGTL RADIO 48QFN

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
RFQ
SI4646DY-T1-E3

SI4646DY-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI4683-A10-GM

SI4683-A10-GM

Описание: IC ANLG/DGTL RADIO 48QFN

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
RFQ
SI4646DY-T1-GE3

SI4646DY-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI4668DY-T1-GE3

SI4668DY-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI4682-A10-GMR

SI4682-A10-GMR

Описание: IC RADIO RX ANLG/DGTL 48QFN

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
RFQ
SI4682DY-T1-E3

SI4682DY-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI4684-A10-GM

SI4684-A10-GM

Описание: IC RADIO RX ANLG/DGTL 48QFN

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
RFQ
SI4650DY-T1-E3

SI4650DY-T1-E3

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI4670DY-T1-GE3

SI4670DY-T1-GE3

Описание: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI4666DY-T1-GE3

SI4666DY-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI4660DY-T1-E3

SI4660DY-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI4684-A10-GDR

SI4684-A10-GDR

Описание: IC RADIO RX ANLG/DGTL 62WLCSP

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
RFQ
SI4654DY-T1-E3

SI4654DY-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 25V 28.6A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI4668DY-T1-E3

SI4668DY-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI4660DY-T1-GE3

SI4660DY-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI4654DY-T1-GE3

SI4654DY-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 25V 28.6A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI4682DY-T1-GE3

SI4682DY-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI4682-A10-GM

SI4682-A10-GM

Описание: IC RADIO RX ANLG/DGTL 48QFN

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.