Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > SI4686DY-T1-E3
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
5323780

SI4686DY-T1-E3

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
2500+
$0.535
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    SI4686DY-T1-E3
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    8-SO
  • Серии
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9.5 mOhm @ 13.8A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    3W (Ta), 5.2W (Tc)
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Другие названия
    SI4686DY-T1-E3TR
    SI4686DYT1E3
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    1220pF @ 15V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    26nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    30V
  • Подробное описание
    N-Channel 30V 18.2A (Tc) 3W (Ta), 5.2W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    18.2A (Tc)
SI4688-A10-GDR

SI4688-A10-GDR

Описание: IC RADIO RX ANLG/DGTL 62WLCSP

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
SI4684-A10-GDR

SI4684-A10-GDR

Описание: IC RADIO RX ANLG/DGTL 62WLCSP

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
SI4685-A10-GM

SI4685-A10-GM

Описание: IC ANLG/DGTL RADIO 48QFN

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
SI4688-A10-GM

SI4688-A10-GM

Описание: IC RADIO RX ANLG/DGTL 48QFN

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
SI4689-A10-GMR

SI4689-A10-GMR

Описание: IC ANLG/DGTL RADIO 48QFN

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
SI468X-QFN-EVB

SI468X-QFN-EVB

Описание: BOARD EVAL SI468X QFN

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
SI4684-A10-GMR

SI4684-A10-GMR

Описание: IC RADIO RX ANLG/DGTL 48QFN

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
SI4686DY-T1-GE3

SI4686DY-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4688DY-T1-E3

SI4688DY-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4683-A10-GMR

SI4683-A10-GMR

Описание: IC ANLG/DGTL RADIO 48QFN

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
SI4684-A10-GM

SI4684-A10-GM

Описание: IC RADIO RX ANLG/DGTL 48QFN

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
SI4684DY-T1-E3

SI4684DY-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4684DY-T1-GE3

SI4684DY-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4688-A10-GMR

SI4688-A10-GMR

Описание: IC RADIO RX ANLG/DGTL 48QFN

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
SI4685-A10-GMR

SI4685-A10-GMR

Описание: IC ANLG/DGTL RADIO 48QFN

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
SI4689-A10-GM

SI4689-A10-GM

Описание: IC ANLG/DGTL RADIO 48QFN

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
SI4682DY-T1-GE3

SI4682DY-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4683-A10-GM

SI4683-A10-GM

Описание: IC ANLG/DGTL RADIO 48QFN

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
SI4688DY-T1-GE3

SI4688DY-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4689-QFN-EVB

SI4689-QFN-EVB

Описание: EVAL BOARD QFN SI4689

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти