SI4800BDY-T1-GE3

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

$0.191

50+

$0.153

150+

$0.137

500+

$0.117

2500+

$0.108

5000+

$0.102

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

SI4800BDY-T1-GE3
Изготовитель / Производитель

Electro-Films (EFI) / Vishay
Количество запасов

Быть в наличии
Описание
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

SI4800BDY-T1-GE3.pdf
Модель ECAD
Vgs (й) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA
Vgs (макс.)

±25V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

8-SO
Серии

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

18.5 mOhm @ 9A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

1.3W (Ta)
упаковка

Tape & Reel (TR)
Упаковка /

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Другие названия

SI4800BDY-T1-GE3TR
SI4800BDYT1GE3
Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления

33 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

13nC @ 5V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

30V
Подробное описание

N-Channel 30V 6.5A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 8-SO
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

6.5A (Ta)

Связанные новости
Перевозка
Способы оплаты

Мы установили долгосрочные партнерские отношения с крупными поставщиками глобальной логистики, предлагая гибкие и эффективные решения для доставки, адаптированные к вашим уникальным потребностям.В зависимости от размера, веса и пункта назначения вашего заказа, мы выбираем наиболее подходящего перевозчика.Мы также предоставляем услуги отслеживания логистики в реальном времени, позволяя клиентам понимать местоположение и статус своих товаров в любое время. Если у вас есть конкретные международные маршруты доставки или назначенный экспедитор, свяжитесь с нашей командой по продажам-мы рады удовлетворить ваши требования.

Мы поддерживаем несколько методов оплаты, включая кредитные карты, проводные переводы и другие варианты, и принимаем большинство валют.Для заказов, размещенных в долларах США, доступны дополнительные варианты оплаты.Для получения более подробной информации о методах и процедурах оплаты, пожалуйста, свяжитесь с нашей командой по продажам.

Ниже приведены продукты, связанные с SI4800BDY-T1-GE3.

SI4804CDY-T1-GE3

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay

Быть в наличии

SI4800BDY-T1-GE3

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

India invests $2.7 billion to boost local electronic compon...

Контрпункт: К 2024 году глобальная...

Чип TSMC 2NM будет производиться во ...

Сильный спрос на аналоговые чип...

INATRONICS 2025: Electronics & Component Industries

Учреждение: Ожидается, что самор...

NEPCON 2025 Unveils Next-Gen Tech

Генеральный директор IBM предупр...

EMK 2025 Highlights Innovation in Electronics Manufacturing

Samsung Electro Mechanics Обновление ключев...

STMicroelectronics Strengthens Technology Portfolio: From M...

2025 Глобальный полупроводниковы...

Выберите язык

Текущий язык