Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > SI4816DY-T1-GE3
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
1453296

SI4816DY-T1-GE3

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    SI4816DY-T1-GE3
  • Изготовитель / Производитель
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    SI4816DY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Поставщик Упаковка устройства
    8-SO
  • Серии
    LITTLE FOOT®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    22 mOhm @ 6.3A, 10V
  • Мощность - Макс
    1W, 1.25W
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    -
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    12nC @ 5V
  • Тип FET
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • FET Характеристика
    Logic Level Gate
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    30V
  • Подробное описание
    Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 5.3A, 7.7A 1W, 1.25W Surface Mount 8-SO
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    5.3A, 7.7A
  • Номер базового номера
    SI4816

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15

Amazon увеличивает усилия по созда...

2024/11/14

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Южная Корея планирует ввести За...

2024/11/13
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с SI4816DY-T1-GE3.
SI4804CDY-T1-GE3

SI4804CDY-T1-GE3

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI4812BDY-T1-E3

SI4812BDY-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI4824-A10-CUR

SI4824-A10-CUR

Описание: IC RCVR AM/FM/SW MECH 24-SSOP

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
RFQ
SI4816DY-T1-E3

SI4816DY-T1-E3

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI4824-A10-CU

SI4824-A10-CU

Описание: IC RCVR AM/FM/SW MECH 24-SSOP

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
RFQ
SI4822-A10-CU

SI4822-A10-CU

Описание: IC RCVR AM/FM MECH DGTL 24-SSOP

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
RFQ
SI4822-A10-CUR

SI4822-A10-CUR

Описание: IC RCVR AM/FM MECH DGTL 24-SSOP

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
RFQ
SI4820-A10-CU

SI4820-A10-CU

Описание: IC RCVR AM/FM MECH TUNER 24-SSOP

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
RFQ
SI4818DY-T1-GE3

SI4818DY-T1-GE3

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI4820-A10-CUR

SI4820-A10-CUR

Описание: IC RCVR AM/FM MECH TUNER 24-SSOP

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
RFQ
SI4823DY-T1-E3

SI4823DY-T1-E3

Описание: MOSFET P-CH 20V 4.1A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI4823DY-T1-GE3

SI4823DY-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 20V 4.1A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI4808DY-T1-GE3

SI4808DY-T1-GE3

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI4816BDY-T1-GE3

SI4816BDY-T1-GE3

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI4814BDY-T1-GE3

SI4814BDY-T1-GE3

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI4818DY-T1-E3

SI4818DY-T1-E3

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI4814BDY-T1-E3

SI4814BDY-T1-E3

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI4812BDY-T1-GE3

SI4812BDY-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI4816BDY-T1-E3

SI4816BDY-T1-E3

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI4808DY-T1-E3

SI4808DY-T1-E3

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.