Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > SI4894BDY-T1-GE3
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
2406861

SI4894BDY-T1-GE3

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$1.27
10+
$1.126
100+
$0.89
500+
$0.69
1000+
$0.545
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    SI4894BDY-T1-GE3
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    8-SO
  • Серии
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11 mOhm @ 12A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    1.4W (Ta)
  • упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Упаковка /
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Другие названия
    SI4894BDY-T1-GE3CT
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    27 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    1580pF @ 15V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    38nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    30V
  • Подробное описание
    N-Channel 30V 8.9A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    8.9A (Ta)
SI4892DY-T1-GE3

SI4892DY-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4900DY-T1-GE3

SI4900DY-T1-GE3

Описание: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4900DY-T1-E3

SI4900DY-T1-E3

Описание: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4904DY-T1-GE3

SI4904DY-T1-GE3

Описание: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4890BDY-T1-E3

SI4890BDY-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4906DY-T1-E3

SI4906DY-T1-E3

Описание: MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4906DY-T1-GE3

SI4906DY-T1-GE3

Описание: MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4888DY-T1-E3

SI4888DY-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4904DY-T1-E3

SI4904DY-T1-E3

Описание: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4908DY-T1-E3

SI4908DY-T1-E3

Описание: MOSFET 2N-CH 40V 5A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4888DY-T1-GE3

SI4888DY-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4908DY-T1-GE3

SI4908DY-T1-GE3

Описание: MOSFET 2N-CH 40V 5A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4892DY-T1-E3

SI4892DY-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4890DY-T1-E3

SI4890DY-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4896DY-T1-GE3

SI4896DY-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4890DY-T1-GE3

SI4890DY-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4890BDY-T1-GE3

SI4890BDY-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4896DY-T1-E3

SI4896DY-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4894BDY-T1-E3

SI4894BDY-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4886DY-T1-GE3

SI4886DY-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти