Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > SI4931DY-T1-GE3
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
3304459

SI4931DY-T1-GE3

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
2500+
$0.47
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    SI4931DY-T1-GE3
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    1V @ 350µA
  • Поставщик Упаковка устройства
    8-SO
  • Серии
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    18 mOhm @ 8.9A, 4.5V
  • Мощность - Макс
    1.1W
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Другие названия
    SI4931DY-T1-GE3TR
    SI4931DYT1GE3
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    33 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    -
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    52nC @ 4.5V
  • Тип FET
    2 P-Channel (Dual)
  • FET Характеристика
    Logic Level Gate
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    12V
  • Подробное описание
    Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 6.7A 1.1W Surface Mount 8-SO
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    6.7A
  • Номер базового номера
    SI4931
SI4923DY-T1-E3

SI4923DY-T1-E3

Описание: MOSFET 2P-CH 30V 6.2A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4936CDY-T1-GE3

SI4936CDY-T1-GE3

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4922BDY-T1-E3

SI4922BDY-T1-E3

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4936BDY-T1-GE3

SI4936BDY-T1-GE3

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4936BDY-T1-E3

SI4936BDY-T1-E3

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4936ADY-T1-GE3

SI4936ADY-T1-GE3

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 4.4A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4936ADY-T1-E3

SI4936ADY-T1-E3

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 4.4A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4920DY-T1-E3

SI4920DY-T1-E3

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4933DY-T1-E3

SI4933DY-T1-E3

Описание: MOSFET 2P-CH 12V 7.4A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4932DY-T1-GE3

SI4932DY-T1-GE3

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4923DY-T1-GE3

SI4923DY-T1-GE3

Описание: MOSFET 2P-CH 30V 6.2A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4940DY-T1-E3

SI4940DY-T1-E3

Описание: MOSFET 2N-CH 40V 4.2A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4925DDY-T1-GE3

SI4925DDY-T1-GE3

Описание: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4925BDY-T1-E3

SI4925BDY-T1-E3

Описание: MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4920DY-T1-GE3

SI4920DY-T1-GE3

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4933DY-T1-GE3

SI4933DY-T1-GE3

Описание: MOSFET 2P-CH 12V 7.4A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4922BDY-T1-GE3

SI4922BDY-T1-GE3

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4931DY-T1-E3

SI4931DY-T1-E3

Описание: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4925BDY-T1-GE3

SI4925BDY-T1-GE3

Описание: MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4936CDY-T1-E3

SI4936CDY-T1-E3

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SO

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти