Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > SI5402BDC-T1-E3
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
5757161SI5402BDC-T1-E3 Image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI5402BDC-T1-E3

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    SI5402BDC-T1-E3
  • Изготовитель / Производитель
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    SI5402BDC-T1-E3.pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    1206-8 ChipFET™
  • Серии
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    35 mOhm @ 4.9A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    1.3W (Ta)
  • упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Упаковка /
    8-SMD, Flat Lead
  • Другие названия
    SI5402BDC-T1-E3CT
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    20nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    30V
  • Подробное описание
    N-Channel 30V 4.9A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    4.9A (Ta)

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15

Amazon увеличивает усилия по созда...

2024/11/14

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Южная Корея планирует ввести За...

2024/11/13
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с SI5402BDC-T1-E3.
SI5406DC-T1-GE3

SI5406DC-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI5406CDC-T1-GE3

SI5406CDC-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 12V 6A 1206-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI5410DU-T1-GE3

SI5410DU-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK CHIPFET

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI5397K-A-GM

SI5397K-A-GM

Описание: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
RFQ
SI5397A-A-GM

SI5397A-A-GM

Описание: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
RFQ
SI5402DC-T1-GE3

SI5402DC-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI5397M-A-GM

SI5397M-A-GM

Описание: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
RFQ
SI5397L-A-GM

SI5397L-A-GM

Описание: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
RFQ
SI5397D-A-GM

SI5397D-A-GM

Описание: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
RFQ
SI5397J-A-GM

SI5397J-A-GM

Описание: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
RFQ
SI5397C-A-GM

SI5397C-A-GM

Описание: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
RFQ
SI5402BDC-T1-GE3

SI5402BDC-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI5397B-A-GM

SI5397B-A-GM

Описание: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
RFQ
SI5403DC-T1-GE3

SI5403DC-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 30V 6A 1206-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI5406DC-T1-E3

SI5406DC-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI5402DC-T1-E3

SI5402DC-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI5401DC-T1-GE3

SI5401DC-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI5404BDC-T1-GE3

SI5404BDC-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI5404BDC-T1-E3

SI5404BDC-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI5401DC-T1-E3

SI5401DC-T1-E3

Описание: MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.