Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > SI7174DP-T1-GE3
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
1347673SI7174DP-T1-GE3 Image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7174DP-T1-GE3

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
3000+
$1.744
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    SI7174DP-T1-GE3
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 75V 60A PPAK SO-8
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    PowerPAK® SO-8
  • Серии
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7 mOhm @ 10A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    6.25W (Ta), 104W (Tc)
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    PowerPAK® SO-8
  • Другие названия
    SI7174DP-T1-GE3TR
    SI7174DPT1GE3
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    33 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    2770pF @ 40V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    72nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    75V
  • Подробное описание
    N-Channel 75V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    60A (Tc)
SI7194DP-T1-GE3

SI7194DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7201-B-00-FV

SI7201-B-00-FV

Описание: MAGNETIC SWITCH OMNIPOLAR

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
SI7170DP-T1-GE3

SI7170DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7156DP-T1-E3

SI7156DP-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7172ADP-T1-RE3

SI7172ADP-T1-RE3

Описание: MOSFET N-CHAN 200V POWERPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7164DP-T1-GE3

SI7164DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7190DP-T1-GE3

SI7190DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 250V 18.4A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7157DP-T1-GE3

SI7157DP-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7192DP-T1-GE3

SI7192DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7196DP-T1-E3

SI7196DP-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7196DP-T1-GE3

SI7196DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7186DP-T1-GE3

SI7186DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 80V 32A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7190ADP-T1-RE3

SI7190ADP-T1-RE3

Описание: MOSFET N-CHAN 250V POWERPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7172DP-T1-GE3

SI7172DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7186DP-T1-E3

SI7186DP-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 80V 32A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7159DP-T1-GE3

SI7159DP-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7160DP-T1-GE3

SI7160DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7156DP-T1-GE3

SI7156DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7160DP-T1-E3

SI7160DP-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7178DP-T1-GE3

SI7178DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти