Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > SI7818DN-T1-GE3
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
6423248SI7818DN-T1-GE3 Image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7818DN-T1-GE3

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$1.99
10+
$1.763
100+
$1.393
500+
$1.08
1000+
$0.853
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    SI7818DN-T1-GE3
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 150V 2.2A 1212-8
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    PowerPAK® 1212-8
  • Серии
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    135 mOhm @ 3.4A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    1.5W (Ta)
  • упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Упаковка /
    PowerPAK® 1212-8
  • Другие названия
    SI7818DN-T1-GE3CT
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    33 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    30nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    150V
  • Подробное описание
    N-Channel 150V 2.2A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    2.2A (Ta)
SI7844DP-T1-E3

SI7844DP-T1-E3

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7812DN-T1-GE3

SI7812DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 75V 16A 1212-8 PPAK

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7806ADN-T1-E3

SI7806ADN-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7810DN-T1-GE3

SI7810DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 100V 3.4A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7846DP-T1-GE3

SI7846DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7818DN-T1-E3

SI7818DN-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 150V 2.2A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7820DN-T1-GE3

SI7820DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 200V 1.7A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7842DP-T1-GE3

SI7842DP-T1-GE3

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7810DN-T1-E3

SI7810DN-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 100V 3.4A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7846DP-T1-E3

SI7846DP-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7842DP-T1-E3

SI7842DP-T1-E3

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7840BDP-T1-GE3

SI7840BDP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7840BDP-T1-E3

SI7840BDP-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7820DN-T1-E3

SI7820DN-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 200V 1.7A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7802DN-T1-GE3

SI7802DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7804DN-T1-GE3

SI7804DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 6.5A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7812DN-T1-E3

SI7812DN-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 75V 16A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7804DN-T1-E3

SI7804DN-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 30V 6.5A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7844DP-T1-GE3

SI7844DP-T1-GE3

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7806ADN-T1-GE3

SI7806ADN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти