Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > SI7848BDP-T1-GE3
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
6510087SI7848BDP-T1-GE3 Image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7848BDP-T1-GE3

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$1.93
10+
$1.71
100+
$1.351
500+
$1.048
1000+
$0.827
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    SI7848BDP-T1-GE3
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    PowerPAK® SO-8
  • Серии
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9 mOhm @ 16A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    4.2W (Ta), 36W (Tc)
  • упаковка
    Original-Reel®
  • Упаковка /
    PowerPAK® SO-8
  • Другие названия
    SI7848BDP-T1-GE3DKR
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    27 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    2000pF @ 20V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    50nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    40V
  • Подробное описание
    N-Channel 40V 47A (Tc) 4.2W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    47A (Tc)
SI7844DP-T1-GE3

SI7844DP-T1-GE3

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7846DP-T1-GE3

SI7846DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7856ADP-T1-GE3

SI7856ADP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7856ADP-T1-E3

SI7856ADP-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7850DP-T1-E3

SI7850DP-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7850DP-T1-GE3

SI7850DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7848BDP-T1-E3

SI7848BDP-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7846DP-T1-E3

SI7846DP-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7840BDP-T1-GE3

SI7840BDP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7844DP-T1-E3

SI7844DP-T1-E3

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7842DP-T1-E3

SI7842DP-T1-E3

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7852DP-T1-GE3

SI7852DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7842DP-T1-GE3

SI7842DP-T1-GE3

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7820DN-T1-GE3

SI7820DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 200V 1.7A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7850ADP-T1-GE3

SI7850ADP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 60V POWERPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7840BDP-T1-E3

SI7840BDP-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7848DP-T1-E3

SI7848DP-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 40V 10.4A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7852ADP-T1-GE3

SI7852ADP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7852ADP-T1-E3

SI7852ADP-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7852DP-T1-E3

SI7852DP-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти