Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > SI7911DN-T1-GE3
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
6881512SI7911DN-T1-GE3 Image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7911DN-T1-GE3

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    SI7911DN-T1-GE3
  • Изготовитель / Производитель
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    SI7911DN-T1-GE3.pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Поставщик Упаковка устройства
    PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Серии
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    51 mOhm @ 5.7A, 4.5V
  • Мощность - Макс
    1.3W
  • упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Упаковка /
    PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Другие названия
    SI7911DN-T1-GE3CT
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    -
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    15nC @ 4.5V
  • Тип FET
    2 P-Channel (Dual)
  • FET Характеристика
    Logic Level Gate
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    20V
  • Подробное описание
    Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.2A 1.3W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    4.2A
  • Номер базового номера
    SI7911

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15

Amazon увеличивает усилия по созда...

2024/11/14

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Южная Корея планирует ввести За...

2024/11/13
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с SI7911DN-T1-GE3.
SI7905DN-T1-GE3

SI7905DN-T1-GE3

Описание: MOSFET 2P-CH 40V 6A PPAK 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI7923DN-T1-E3

SI7923DN-T1-E3

Описание: MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI7904DN-T1-GE3

SI7904DN-T1-GE3

Описание: MOSFET 2N-CH 20V 5.3A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI7925DN-T1-E3

SI7925DN-T1-E3

Описание: MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI7909DN-T1-E3

SI7909DN-T1-E3

Описание: MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI7901EDN-T1-GE3

SI7901EDN-T1-GE3

Описание: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI7922DN-T1-E3

SI7922DN-T1-E3

Описание: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI7922DN-T1-GE3

SI7922DN-T1-GE3

Описание: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI7905DN-T1-E3

SI7905DN-T1-E3

Описание: MOSFET 2P-CH 40V 6A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI7911DN-T1-E3

SI7911DN-T1-E3

Описание: MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI7904DN-T1-E3

SI7904DN-T1-E3

Описание: MOSFET 2N-CH 20V 5.3A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI7913DN-T1-E3

SI7913DN-T1-E3

Описание: MOSFET 2P-CH 20V 5A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI7904BDN-T1-E3

SI7904BDN-T1-E3

Описание: MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI7904BDN-T1-GE3

SI7904BDN-T1-GE3

Описание: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI7923DN-T1-GE3

SI7923DN-T1-GE3

Описание: MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI7925DN-T1-GE3

SI7925DN-T1-GE3

Описание: MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI7909DN-T1-GE3

SI7909DN-T1-GE3

Описание: MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI7940DP-T1-E3

SI7940DP-T1-E3

Описание: MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI7913DN-T1-GE3

SI7913DN-T1-GE3

Описание: MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI7938DP-T1-GE3

SI7938DP-T1-GE3

Описание: MOSFET 2N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.