Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > SI7960DP-T1-GE3
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
5377106SI7960DP-T1-GE3 Image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7960DP-T1-GE3

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    SI7960DP-T1-GE3
  • Изготовитель / Производитель
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    SI7960DP-T1-GE3.pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Поставщик Упаковка устройства
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Серии
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    21 mOhm @ 9.7A, 10V
  • Мощность - Макс
    1.4W
  • упаковка
    Original-Reel®
  • Упаковка /
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Другие названия
    SI7960DP-T1-GE3DKR
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    -
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    75nC @ 10V
  • Тип FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET Характеристика
    Logic Level Gate
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    60V
  • Подробное описание
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 6.2A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    6.2A
  • Номер базового номера
    SI7960

Антропик получает еще 4 миллиард...

2024/11/23

Полу: продажи IC увеличиваются на...

2024/11/22

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15

Amazon увеличивает усилия по созда...

2024/11/14

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

2024/11/13
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с SI7960DP-T1-GE3.
SI7958DP-T1-E3

SI7958DP-T1-E3

Описание: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI7983DP-T1-E3

SI7983DP-T1-E3

Описание: MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI7997DP-T1-GE3

SI7997DP-T1-GE3

Описание: MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI7983DP-T1-GE3

SI7983DP-T1-GE3

Описание: MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI7956DP-T1-E3

SI7956DP-T1-E3

Описание: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI7956DP-T1-GE3

SI7956DP-T1-GE3

Описание: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI7946DP-T1-E3

SI7946DP-T1-E3

Описание: MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI7946DP-T1-GE3

SI7946DP-T1-GE3

Описание: MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI7958DP-T1-GE3

SI7958DP-T1-GE3

Описание: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI7964DP-T1-E3

SI7964DP-T1-E3

Описание: MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI7948DP-T1-GE3

SI7948DP-T1-GE3

Описание: MOSFET 2N-CH 60V 3A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI7962DP-T1-E3

SI7962DP-T1-E3

Описание: MOSFET 2N-CH 40V 7.1A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI7980DP-T1-GE3

SI7980DP-T1-GE3

Описание: MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI7964DP-T1-GE3

SI7964DP-T1-GE3

Описание: MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI7949DP-T1-GE3

SI7949DP-T1-GE3

Описание: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI7980DP-T1-E3

SI7980DP-T1-E3

Описание: MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI7994DP-T1-GE3

SI7994DP-T1-GE3

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI7949DP-T1-E3

SI7949DP-T1-E3

Описание: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI7960DP-T1-E3

SI7960DP-T1-E3

Описание: MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI7972DP-T1-GE3

SI7972DP-T1-GE3

Описание: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.