Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > SIB406EDK-T1-GE3
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
2860661SIB406EDK-T1-GE3 Image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIB406EDK-T1-GE3

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
3000+
$0.223
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    SIB406EDK-T1-GE3
  • Изготовитель / Производитель
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 20V 6A SC-75-6
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    SIB406EDK-T1-GE3.pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    1.4V @ 250µA
  • Vgs (макс.)
    ±12V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    PowerPAK® SC-75-6L Single
  • Серии
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    46 mOhm @ 3.9A, 4.5V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    1.95W (Ta), 10W (Tc)
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    PowerPAK® SC-75-6L
  • Другие названия
    SIB406EDK-T1-GE3TR
    SIB406EDKT1GE3
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    350pF @ 10V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    12nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    20V
  • Подробное описание
    N-Channel 20V 6A (Tc) 1.95W (Ta), 10W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Single
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    6A (Tc)

AMD запускает строительство втор...

2024/11/26

Графическая карта NVIDIA RTX 5090 имее...

2024/11/25

Антропик получает еще 4 миллиард...

2024/11/23

Полу: продажи IC увеличиваются на...

2024/11/22

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с SIB406EDK-T1-GE3.
SIB410DK-T1-GE3

SIB410DK-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 9A 8SO

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SIB-126-02-F-S-LC

SIB-126-02-F-S-LC

Описание: .100 SINGLE INTERFACE BEAM ASSEM

Производители: Samtec, Inc.
Быть в наличии
RFQ
SIB412DK-T1-E3

SIB412DK-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SIB411DK-T1-E3

SIB411DK-T1-E3

Описание: MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SIB404DK-T1-GE3

SIB404DK-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 12V 9A SC-75-6L

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SIB412DK-T1-GE3

SIB412DK-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SIB-129-02-F-S-LC

SIB-129-02-F-S-LC

Описание: .100 SINGLE INTERFACE BEAM ASSEM

Производители: Samtec, Inc.
Быть в наличии
RFQ
SIB-129-02-F-S

SIB-129-02-F-S

Описание: .100 SINGLE INTERFACE BEAM ASSEM

Производители: Samtec, Inc.
Быть в наличии
RFQ
SIB417AEDK-T1-GE3

SIB417AEDK-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 8V 9A PWRPACK

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SIB-130-02-F-S

SIB-130-02-F-S

Описание: .100 SINGLE INTERFACE BEAM ASSEM

Производители: Samtec, Inc.
Быть в наличии
RFQ
SIB408DK-T1-GE3

SIB408DK-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 7A PPAK SC75-6L

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SIB411DK-T1-GE3

SIB411DK-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6L

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SIB-128-02-F-S

SIB-128-02-F-S

Описание: .100 SINGLE INTERFACE BEAM ASSEM

Производители: Samtec, Inc.
Быть в наличии
RFQ
SIB-127-02-F-S

SIB-127-02-F-S

Описание: .100 SINGLE INTERFACE BEAM ASSEM

Производители: Samtec, Inc.
Быть в наличии
RFQ
SIB413DK-T1-GE3

SIB413DK-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SIB-127-02-F-S-LC

SIB-127-02-F-S-LC

Описание: .100 SINGLE INTERFACE BEAM ASSEM

Производители: Samtec, Inc.
Быть в наличии
RFQ
SIB-128-02-F-S-LC

SIB-128-02-F-S-LC

Описание: .100 SINGLE INTERFACE BEAM ASSEM

Производители: Samtec, Inc.
Быть в наличии
RFQ
SIB414DK-T1-GE3

SIB414DK-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 8V 9A PPAK SC75-6

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SIB415DK-T1-GE3

SIB415DK-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 30V 9A SC75-6

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SIB-130-02-F-S-LC

SIB-130-02-F-S-LC

Описание: .100 SINGLE INTERFACE BEAM ASSEM

Производители: Samtec, Inc.
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.