2040596

SIDR392DP-T1-GE3

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

3000+

$1.362

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

SIDR392DP-T1-GE3
Изготовитель / Производитель

Electro-Films (EFI) / Vishay
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CHAN 30V
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

1.SIDR392DP-T1-GE3.pdf
2.SIDR392DP-T1-GE3.pdf
Модель ECAD
Vgs (й) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA
Vgs (макс.)

+20V, -16V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

PowerPAK® SO-8DC
Серии

TrenchFET® Gen IV
Rds On (Max) @ Id, Vgs

0.62 mOhm @ 20A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

6.25W (Ta), 125W (Tc)
упаковка

Tape & Reel (TR)
Упаковка /

PowerPAK® SO-8
Другие названия

SIDR392DP-T1-GE3TR
Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления

32 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

9530pF @ 15V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

188nC @ 10V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

30V
Подробное описание

N-Channel 30V 82A (Ta), 100A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

82A (Ta), 100A (Tc)

Связанные новости
Перевозка
Способы оплаты

Мы установили долгосрочные партнерские отношения с крупными поставщиками глобальной логистики, предлагая гибкие и эффективные решения для доставки, адаптированные к вашим уникальным потребностям.В зависимости от размера, веса и пункта назначения вашего заказа, мы выбираем наиболее подходящего перевозчика.Мы также предоставляем услуги отслеживания логистики в реальном времени, позволяя клиентам понимать местоположение и статус своих товаров в любое время. Если у вас есть конкретные международные маршруты доставки или назначенный экспедитор, свяжитесь с нашей командой по продажам-мы рады удовлетворить ваши требования.

Мы поддерживаем несколько методов оплаты, включая кредитные карты, проводные переводы и другие варианты, и принимаем большинство валют.Для заказов, размещенных в долларах США, доступны дополнительные варианты оплаты.Для получения более подробной информации о методах и процедурах оплаты, пожалуйста, свяжитесь с нашей командой по продажам.

Ниже приведены продукты, связанные с SIDR392DP-T1-GE3.

SIDR626DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CHAN 60V

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay

Быть в наличии

SIDR392DP-T1-GE3

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

Чип TSMC 2NM будет производиться во ...

Сильный спрос на аналоговые чип...

INATRONICS 2025: Electronics & Component Industries

Учреждение: Ожидается, что самор...

NEPCON 2025 Unveils Next-Gen Tech

Генеральный директор IBM предупр...

EMK 2025 Highlights Innovation in Electronics Manufacturing

Samsung Electro Mechanics Обновление ключев...

STMicroelectronics Strengthens Technology Portfolio: From M...

2025 Глобальный полупроводниковы...

SK Hynix планирует инвестировать в ...

Министерство торговли США выпус...

Выберите язык

Текущий язык