SIHB12N50E-GE3

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

$2.75

10+

$2.479

100+

$1.992

500+

$1.55

1000+

$1.284

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

SIHB12N50E-GE3
Изготовитель / Производитель

Electro-Films (EFI) / Vishay
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 500V 10.5A TO-263
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

SIHB12N50E-GE3.pdf
Модель ECAD
Vgs (й) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (макс.)

±30V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

D²PAK (TO-263)
Серии

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

380 mOhm @ 6A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

114W (Tc)
упаковка

Bulk
Упаковка /

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

886pF @ 100V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

50nC @ 10V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

500V
Подробное описание

N-Channel 500V 10.5A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

10.5A (Tc)

Связанные новости
Перевозка
Способы оплаты

Мы установили долгосрочные партнерские отношения с крупными поставщиками глобальной логистики, предлагая гибкие и эффективные решения для доставки, адаптированные к вашим уникальным потребностям.В зависимости от размера, веса и пункта назначения вашего заказа, мы выбираем наиболее подходящего перевозчика.Мы также предоставляем услуги отслеживания логистики в реальном времени, позволяя клиентам понимать местоположение и статус своих товаров в любое время. Если у вас есть конкретные международные маршруты доставки или назначенный экспедитор, свяжитесь с нашей командой по продажам-мы рады удовлетворить ваши требования.

Мы поддерживаем несколько методов оплаты, включая кредитные карты, проводные переводы и другие варианты, и принимаем большинство валют.Для заказов, размещенных в долларах США, доступны дополнительные варианты оплаты.Для получения более подробной информации о методах и процедурах оплаты, пожалуйста, свяжитесь с нашей командой по продажам.

Ниже приведены продукты, связанные с SIHB12N50E-GE3.

SIHA25N60EFL-E3

Описание: MOSFET N-CHANNEL 600V 25A TO220

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay

Быть в наличии

SIHB12N50E-GE3

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

Чип TSMC 2NM будет производиться во ...

Сильный спрос на аналоговые чип...

INATRONICS 2025: Electronics & Component Industries

Учреждение: Ожидается, что самор...

NEPCON 2025 Unveils Next-Gen Tech

Генеральный директор IBM предупр...

EMK 2025 Highlights Innovation in Electronics Manufacturing

Samsung Electro Mechanics Обновление ключев...

STMicroelectronics Strengthens Technology Portfolio: From M...

2025 Глобальный полупроводниковы...

SK Hynix планирует инвестировать в ...

Министерство торговли США выпус...

Выберите язык

Текущий язык