Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > SIHD240N60E-GE3
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
5122335

SIHD240N60E-GE3

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
2000+
$1.278
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    SIHD240N60E-GE3
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CHAN 600V DPAK TO-252
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (макс.)
    ±30V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    D-PAK (TO-252AA)
  • Серии
    E
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    240 mOhm @ 5.5A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    78W (Tc)
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Другие названия
    SIHD240N60E-GE3TR
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    783pF @ 100V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    23nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    600V
  • Подробное описание
    N-Channel 600V 12A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    12A (Tc)
SIHB8N50D-GE3

SIHB8N50D-GE3

Описание: MOSFET N-CH 500V 8.7A D2PAK

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIHD6N62E-GE3

SIHD6N62E-GE3

Описание: MOSFET N-CH 620V 6A TO-252

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIHB33N60ET5-GE3

SIHB33N60ET5-GE3

Описание: MOSFET N-CH 600V 33A TO263

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIHD5N50D-GE3

SIHD5N50D-GE3

Описание: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIHD5N50D-E3

SIHD5N50D-E3

Описание: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIHD5N50D-GE3

SIHD5N50D-GE3

Описание: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

Производители: Vishay Siliconix
Быть в наличии
SIHB30N60E-GE3

SIHB30N60E-GE3

Описание: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIHB6N65E-GE3

SIHB6N65E-GE3

Описание: MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIHD12N50E-GE3

SIHD12N50E-GE3

Описание: MOSFET N-CHAN 500V DPAK

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIHB33N60E-GE3

SIHB33N60E-GE3

Описание: MOSFET N-CH 600V 33A TO-263

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIHD4N80E-GE3

SIHD4N80E-GE3

Описание: MOSFET N-CHAN 800V FP TO-252

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIHD14N60E-GE3

SIHD14N60E-GE3

Описание: MOSFET N-CHANNEL 600V 13A DPAK

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIHD6N62ET1-GE3

SIHD6N62ET1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIHB35N60E-GE3

SIHB35N60E-GE3

Описание: MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK TO263

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIHD3N50D-E3

SIHD3N50D-E3

Описание: MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIHB33N60ET1-GE3

SIHB33N60ET1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 600V 33A TO263

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIHD6N62E-GE3

SIHD6N62E-GE3

Описание: MOSFET N-CH 620V 6A TO-252

Производители: Vishay Siliconix
Быть в наличии
SIHD3N50D-GE3

SIHD3N50D-GE3

Описание: MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIHD2N80E-GE3

SIHD2N80E-GE3

Описание: MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIHB33N60EF-GE3

SIHB33N60EF-GE3

Описание: MOSFET N-CH 600V 33A TO-263

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти