SIHF12N65E-GE3

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

$2.94

10+

$2.657

100+

$2.135

500+

$1.66

1000+

$1.376

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

SIHF12N65E-GE3
Изготовитель / Производитель

Electro-Films (EFI) / Vishay
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 650V 12A TO-220
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

SIHF12N65E-GE3.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (макс.)

±30V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

TO-220 Full Pack
Серии

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

380 mOhm @ 6A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

33W (Tc)
упаковка

Cut Tape (CT)
Упаковка /

TO-220-3 Full Pack
Другие названия

SIHF12N65E-GE3CT
SIHF12N65E-GE3CT-ND
Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

1224pF @ 100V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

70nC @ 10V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

650V
Подробное описание

N-Channel 650V 12A (Tc) 33W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

12A (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с SIHF12N65E-GE3.

SIHF15N60E-E3

Описание: MOSFET N-CH 600V 15A TO220 FULLP

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

SIHF12N65E-GE3

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

Последняя кремниевая оптическа...

Индустрия восстанавливается ме...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Поставщик: большое количество к...

Тайвань, выходной стоимость пол...

Расширение производства панеле...

Amazon увеличивает усилия по созда...

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Южная Корея планирует ввести За...

Выберите язык

Текущий язык