SIHG22N60AE-GE3

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

$4.64

10+

$4.14

100+

$3.395

500+

$2.749

1000+

$2.318

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

SIHG22N60AE-GE3
Изготовитель / Производитель

Electro-Films (EFI) / Vishay
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 600V 20A TO247AC
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

SIHG22N60AE-GE3.pdf
Модель ECAD
Vgs (й) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (макс.)

±30V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

TO-247AC
Серии

E
Rds On (Max) @ Id, Vgs

180 mOhm @ 11A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

179W (Tc)
упаковка

Tube
Упаковка /

TO-247-3
Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

1451pF @ 100V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

96nC @ 10V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

600V
Подробное описание

N-Channel 600V 20A (Tc) 179W (Tc) Through Hole TO-247AC
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

20A (Tc)

Связанные новости
Перевозка
Способы оплаты

Мы установили долгосрочные партнерские отношения с крупными поставщиками глобальной логистики, предлагая гибкие и эффективные решения для доставки, адаптированные к вашим уникальным потребностям.В зависимости от размера, веса и пункта назначения вашего заказа, мы выбираем наиболее подходящего перевозчика.Мы также предоставляем услуги отслеживания логистики в реальном времени, позволяя клиентам понимать местоположение и статус своих товаров в любое время. Если у вас есть конкретные международные маршруты доставки или назначенный экспедитор, свяжитесь с нашей командой по продажам-мы рады удовлетворить ваши требования.

Мы поддерживаем несколько методов оплаты, включая кредитные карты, проводные переводы и другие варианты, и принимаем большинство валют.Для заказов, размещенных в долларах США, доступны дополнительные варианты оплаты.Для получения более подробной информации о методах и процедурах оплаты, пожалуйста, свяжитесь с нашей командой по продажам.

Ниже приведены продукты, связанные с SIHG22N60AE-GE3.

SIHG21N65EF-GE3

Описание: MOSFET N-CH 650V 21A TO-247AC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay

Быть в наличии

SIHG22N60AE-GE3

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

Чип TSMC 2NM будет производиться во ...

Сильный спрос на аналоговые чип...

INATRONICS 2025: Electronics & Component Industries

Учреждение: Ожидается, что самор...

NEPCON 2025 Unveils Next-Gen Tech

Генеральный директор IBM предупр...

EMK 2025 Highlights Innovation in Electronics Manufacturing

Samsung Electro Mechanics Обновление ключев...

STMicroelectronics Strengthens Technology Portfolio: From M...

2025 Глобальный полупроводниковы...

SK Hynix планирует инвестировать в ...

Министерство торговли США выпус...

Выберите язык

Текущий язык