Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > SIHP11N80E-GE3
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
2964517SIHP11N80E-GE3 Image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHP11N80E-GE3

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$4.09
10+
$3.648
100+
$2.992
500+
$2.423
1000+
$2.043
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    SIHP11N80E-GE3
  • Изготовитель / Производитель
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 800V 12A TO220AB
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
  • Спецификация
    SIHP11N80E-GE3.pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (макс.)
    ±30V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    TO-220AB
  • Серии
    E
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    440 mOhm @ 5.5A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    179W (Tc)
  • упаковка
    Tube
  • Упаковка /
    TO-220-3
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Through Hole
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    1670pF @ 100V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    88nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    800V
  • Подробное описание
    N-Channel 800V 12A (Tc) 179W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    12A (Tc)

Антропик получает еще 4 миллиард...

2024/11/23

Полу: продажи IC увеличиваются на...

2024/11/22

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15

Amazon увеличивает усилия по созда...

2024/11/14

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

2024/11/13
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с SIHP11N80E-GE3.
SIHJ8N60E-T1-GE3

SIHJ8N60E-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 600V POWERPAK SO-8L

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SIHP14N60E-GE3

SIHP14N60E-GE3

Описание: MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SIHH28N60E-T1-GE3

SIHH28N60E-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 600V 29A POWERPAK8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SIHJ6N65E-T1-GE3

SIHJ6N65E-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SIHP050N60E-GE3

SIHP050N60E-GE3

Описание: MOSFET N-CH 600V

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SIHJ240N60E-T1-GE3

SIHJ240N60E-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CHAN 600V PPAK SO-8L

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SIHP10N40D-GE3

SIHP10N40D-GE3

Описание: MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SIHP12N50E-GE3

SIHP12N50E-GE3

Описание: MOSFET N-CH 500V 10.5A TO-220AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SIHP15N60E-E3

SIHP15N60E-E3

Описание: MOSFET N-CH 600V 15A TO220AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SIHP14N50D-E3

SIHP14N50D-E3

Описание: MOSFET N-CH 500V 14A TO-200AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SIHP12N65E-GE3

SIHP12N65E-GE3

Описание: MOSFET N-CH 650V 12A TO-220AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SIHP10N40D-E3

SIHP10N40D-E3

Описание: MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SIHP15N50E-GE3

SIHP15N50E-GE3

Описание: MOSFET N-CH 500V 14.5A TO-220AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SIHP065N60E-GE3

SIHP065N60E-GE3

Описание: MOSFET N-CH 600V 40A TO220AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SIHP12N60E-GE3

SIHP12N60E-GE3

Описание: MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SIHP12N50C-E3

SIHP12N50C-E3

Описание: MOSFET N-CH 500V 12A TO-220AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SIHJ10N60E-T1-GE3

SIHJ10N60E-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 600V 10A POWERPAKSO

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SIHJ7N65E-T1-GE3

SIHJ7N65E-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SIHP14N50D-GE3

SIHP14N50D-GE3

Описание: MOSFET N-CH 500V 14A TO-200AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SIHP12N60E-E3

SIHP12N60E-E3

Описание: MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.