Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > SIHW47N65E-GE3
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
5079658SIHW47N65E-GE3 Image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHW47N65E-GE3

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    SIHW47N65E-GE3
  • Изготовитель / Производитель
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 650V 47A TO-247AD
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    SIHW47N65E-GE3.pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    TO-247AD
  • Серии
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    72 mOhm @ 24A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    417W (Tc)
  • упаковка
    Tube
  • Упаковка /
    TO-247-3
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Through Hole
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    5682pF @ 100V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    273nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    650V
  • Подробное описание
    N-Channel 650V 47A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-247AD
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    47A (Tc)

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15

Amazon увеличивает усилия по созда...

2024/11/14

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Южная Корея планирует ввести За...

2024/11/13
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с SIHW47N65E-GE3.
SIHU5N50D-GE3

SIHU5N50D-GE3

Описание: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SIHU3N50D-GE3

SIHU3N50D-GE3

Описание: MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SIHU2N80E-GE3

SIHU2N80E-GE3

Описание: MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SIHW73N60E-GE3

SIHW73N60E-GE3

Описание: MOSFET N-CH 600V 73A TO-247AD

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SIHU3N50D-E3

SIHU3N50D-E3

Описание: MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SIHW33N60E-GE3

SIHW33N60E-GE3

Описание: MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AD

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SIHW30N60E-GE3

SIHW30N60E-GE3

Описание: MOSFET N-CH 600V 29A TO-247AD

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SIHU6N65E-GE3

SIHU6N65E-GE3

Описание: MOSFET N-CH 650V 6A IPAK

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SIHU6N62E-GE3

SIHU6N62E-GE3

Описание: MOSFET N-CH 620V 6A TO-251

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SIHU3N50DA-GE3

SIHU3N50DA-GE3

Описание: MOSFET N-CHANNEL 500V 3A IPAK

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SIHW47N60EF-GE3

SIHW47N60EF-GE3

Описание: MOSFET N-CH 600V 47A TO-247AD

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SIHU4N80E-GE3

SIHU4N80E-GE3

Описание: MOSFET N-CHAN 800V TO-251

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SIHW23N60E-GE3

SIHW23N60E-GE3

Описание: MOSFET N-CH 600V 23A TO-247AD

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SIHW47N60E-GE3

SIHW47N60E-GE3

Описание: MOSFET N-CH 600V 47A TO-247AD

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SIHU7N60E-E3

SIHU7N60E-E3

Описание: MOSFET N-CH 600V 7A TO-251

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SIHW61N65EF-GE3

SIHW61N65EF-GE3

Описание: MOSFET N-CH 650V 64A TO247AD

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SIHW70N60EF-GE3

SIHW70N60EF-GE3

Описание: MOSFET N-CH 600V 70A TO-247AD

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SIHU7N60E-GE3

SIHU7N60E-GE3

Описание: MOSFET N-CH 600V 7A TO-251

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SIHU5N50D-E3

SIHU5N50D-E3

Описание: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SIHU6N80E-GE3

SIHU6N80E-GE3

Описание: MOSFET N-CHAN 800V TO-251

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.