Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > SIJA72ADP-T1-GE3
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
2915762

SIJA72ADP-T1-GE3

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
3000+
$0.456
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    SIJA72ADP-T1-GE3
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CHAN 40V PPAK SO-8L
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    2.4V @ 250µA
  • Vgs (макс.)
    +20V, -16V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    PowerPAK® SO-8
  • Серии
    TrenchFET® Gen IV
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.42 mOhm @ 10A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    PowerPAK® SO-8
  • Другие названия
    SIJA72ADP-T1-GE3TR
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    42 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    2530pF @ 20V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    50nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    40V
  • Подробное описание
    N-Channel 40V 27.9A (Ta), 96A (Tc) 4.8W (Ta), 56.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    27.9A (Ta), 96A (Tc)
SIJA58DP-T1-GE3

SIJA58DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIJ494DP-T1-GE3

SIJ494DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 150V 36.8A SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIJ482DP-T1-GE3

SIJ482DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIJ458DP-T1-GE3

SIJ458DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIJ462DP-T1-GE3

SIJ462DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 60V 46.5A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIJ420DP-T1-GE3

SIJ420DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
IRFU3607-701PBF

IRFU3607-701PBF

Описание: MOSFET N CH 75V 56A IPAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
SIJA52DP-T1-GE3

SIJA52DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8L

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
AUIRF3205

AUIRF3205

Описание: MOSFET N-CH 55V 110A TO-220AB

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
SIJ800DP-T1-GE3

SIJ800DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 40V 20A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIJ478DP-T1-GE3

SIJ478DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
IRL5602STRR

IRL5602STRR

Описание: MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
SIJA54DP-T1-GE3

SIJA54DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8L

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
IRLI610ATU

IRLI610ATU

Описание: MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
SIJH440E-T1-GE3

SIJH440E-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIJ484DP-T1-GE3

SIJ484DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIJ400DP-T1-GE3

SIJ400DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 32A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIJ438DP-T1-GE3

SIJ438DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8L

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIJ470DP-T1-GE3

SIJ470DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI1433DH-T1-GE3

SI1433DH-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 30V 1.9A SC70-6

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти