Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > SIR106DP-T1-RE3
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
118997SIR106DP-T1-RE3 Image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIR106DP-T1-RE3

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
3000+
$0.893
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    SIR106DP-T1-RE3
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    3.4V @ 250µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    PowerPAK® SO-8
  • Серии
    TrenchFET® Gen IV
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8 mOhm @ 15A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    3.2W (Ta), 83.3W (Tc)
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    PowerPAK® SO-8
  • Другие названия
    SIR106DP-T1-RE3TR
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    32 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    3610pF @ 50V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    64nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    7.5V, 10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    100V
  • Подробное описание
    N-Channel 100V 16.1A (Ta), 65.8A (Tc) 3.2W (Ta), 83.3W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    16.1A (Ta), 65.8A (Tc)
SIR-34ST3F

SIR-34ST3F

Описание: EMITTER IR 950NM 100MA T-1

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
SIR-505STA47F

SIR-505STA47F

Описание: EMITTER IR 950NM 100MA T 1 3/4

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
SIR112DP-T1-RE3

SIR112DP-T1-RE3

Описание: MOSFET N-CHAN 40V

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIR165DP-T1-GE3

SIR165DP-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIR-568ST3F

SIR-568ST3F

Описание: EMITTER IR 850NM 100MA T 1 3/4

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
SIR-56ST3FF

SIR-56ST3FF

Описание: EMITTER IR 950NM 100MA T 1 3/4

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
SIR158DP-T1-RE3

SIR158DP-T1-RE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIR1-03-L-S

SIR1-03-L-S

Описание: ONE PIECE POWER RIGHT ANGLE ASSE

Производители: Samtec, Inc.
Быть в наличии
SIR158DP-T1-GE3

SIR158DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIR104DP-T1-RE3

SIR104DP-T1-RE3

Описание: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIR164DP-T1-RE3

SIR164DP-T1-RE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 50A POWERPAKSO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIR-563ST3FN

SIR-563ST3FN

Описание: EMITTER IR 940NM 100MA T 1 3/4

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
SIR140DP-T1-RE3

SIR140DP-T1-RE3

Описание: MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIR166DP-T1-GE3

SIR166DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIR1-05-L-S-K-TR

SIR1-05-L-S-K-TR

Описание: ONE PIECE POWER RIGHT ANGLE ASSE

Производители: Samtec, Inc.
Быть в наличии
SIR108DP-T1-RE3

SIR108DP-T1-RE3

Описание: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIR1-03-L-S-K-TR

SIR1-03-L-S-K-TR

Описание: ONE PIECE POWER RIGHT ANGLE ASSE

Производители: Samtec, Inc.
Быть в наличии
SIR12-21C/TR8

SIR12-21C/TR8

Описание: EMITTER IR 875NM 65MA 1208

Производители: Everlight Electronics
Быть в наличии
SIR164DP-T1-GE3

SIR164DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

Производители: Vishay Siliconix
Быть в наличии
SIR-341ST3FF

SIR-341ST3FF

Описание: EMITTER IR 940NM 75MA T-1

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти