Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > SIR402DP-T1-GE3
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
354461SIR402DP-T1-GE3 Image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIR402DP-T1-GE3

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$2.24
10+
$2.023
100+
$1.626
500+
$1.264
1000+
$1.048
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    SIR402DP-T1-GE3
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    PowerPAK® SO-8
  • Серии
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6 mOhm @ 20A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    4.2W (Ta), 36W (Tc)
  • упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Упаковка /
    PowerPAK® SO-8
  • Другие названия
    SIR402DP-T1-GE3CT
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    27 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    1700pF @ 15V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    42nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    30V
  • Подробное описание
    N-Channel 30V 35A (Tc) 4.2W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    35A (Tc)
SIR404DP-T1-GE3

SIR404DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIR2A20A4

SIR2A20A4

Описание: SOLID STATE RELAY-ISOLATED

Производители: Hamlin / Littelfuse
Быть в наличии
SIR383

SIR383

Описание: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL

Производители: Everlight Electronics
Быть в наличии
SIR401DP-T1-GE3

SIR401DP-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIR403EDP-T1-GE3

SIR403EDP-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 30V 40A PPAK 8SO

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIR2B20B4

SIR2B20B4

Описание: SSR RELAY SPST-NC 20A 0-120V

Производители: Hamlin / Littelfuse
Быть в наличии
SIR416DP-T1-GE3

SIR416DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIR410DP-T1-GE3

SIR410DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIR2B20A4

SIR2B20A4

Описание: SOLID STATE RELAY-ISOLATED

Производители: Hamlin / Littelfuse
Быть в наличии
SIR412DP-T1-GE3

SIR412DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIR418DP-T1-GE3

SIR418DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIR414DP-T1-GE3

SIR414DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIR383C

SIR383C

Описание: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL

Производители: Everlight Electronics
Быть в наличии
SIR330DP-T1-GE3

SIR330DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIR323-5

SIR323-5

Описание: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL

Производители: Everlight Electronics
Быть в наличии
SIR333-A

SIR333-A

Описание: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL

Производители: Everlight Electronics
Быть в наличии
SIR408DP-T1-GE3

SIR408DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIR234

SIR234

Описание: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL

Производители: Everlight Electronics
Быть в наличии
SIR406DP-T1-GE3

SIR406DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIR422DP-T1-GE3

SIR422DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти