Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > SIR638DP-T1-GE3
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
2641163SIR638DP-T1-GE3 Image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIR638DP-T1-GE3

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
3000+
$0.831
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    SIR638DP-T1-GE3
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    2.3V @ 250µA
  • Vgs (макс.)
    +20V, -16V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    PowerPAK® SO-8
  • Серии
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    0.88 mOhm @ 20A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    104W (Tc)
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    PowerPAK® SO-8
  • Другие названия
    SIR638DP-T1-GE3TR
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    10500pF @ 20V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    204nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    40V
  • Подробное описание
    N-Channel 40V 100A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    100A (Tc)
SIR668DP-T1-RE3

SIR668DP-T1-RE3

Описание: MOSFET N-CH 100V 95A POWERPAKSO

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIR640ADP-T1-GE3

SIR640ADP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIR646DP-T1-GE3

SIR646DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 8SO

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIR668ADP-T1-RE3

SIR668ADP-T1-RE3

Описание: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIR606BDP-T1-RE3

SIR606BDP-T1-RE3

Описание: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIR624DP-T1-GE3

SIR624DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 200V 18.6A SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIR638ADP-T1-RE3

SIR638ADP-T1-RE3

Описание: MOSFET N-CH 40V 100A POWERPAKSO

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIR644DP-T1-GE3

SIR644DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIR664DP-T1-GE3

SIR664DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIR662DP-T1-GE3

SIR662DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIR626DP-T1-RE3

SIR626DP-T1-RE3

Описание: MOSFET N-CH 60V 100A POWERPAKSO

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIR616DP-T1-GE3

SIR616DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 200V 20.2A SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIR606DP-T1-GE3

SIR606DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 100V 37A POWERPAKSO

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIR638DP-T1-RE3

SIR638DP-T1-RE3

Описание: MOSFET N-CH 40V 100A POWERPAKSO

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIR610DP-T1-RE3

SIR610DP-T1-RE3

Описание: MOSFET N-CH 200V 35.4A SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIR618DP-T1-GE3

SIR618DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 200V 14.2A SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIR632DP-T1-RE3

SIR632DP-T1-RE3

Описание: MOSFET N-CH 150V 29A POWERPAKSO

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIR642DP-T1-GE3

SIR642DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIR622DP-T1-GE3

SIR622DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 150V 51.6A SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIR640DP-T1-GE3

SIR640DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти