Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > SIR876DP-T1-GE3
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
4958154SIR876DP-T1-GE3 Image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIR876DP-T1-GE3

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    SIR876DP-T1-GE3
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    2.8V @ 250µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    PowerPAK® SO-8
  • Серии
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10.8 mOhm @ 20A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    5W (Ta), 62.5W (Tc)
  • упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Упаковка /
    PowerPAK® SO-8
  • Другие названия
    SIR876DP-T1-GE3CT
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    1640pF @ 50V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    48nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    100V
  • Подробное описание
    N-Channel 100V 40A (Tc) 5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    40A (Tc)
SIR872ADP-T1-RE3

SIR872ADP-T1-RE3

Описание: MOSFET N-CH 150V 53.7A SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIR872ADP-T1-GE3

SIR872ADP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIR872DP-T1-GE3

SIR872DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIR890DP-T1-GE3

SIR890DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIR874DP-T1-GE3

SIR874DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIR882ADP-T1-GE3

SIR882ADP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIR876ADP-T1-GE3

SIR876ADP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIR871DP-T1-GE3

SIR871DP-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 100V 48A POWERPAKSO

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIR892DP-T1-GE3

SIR892DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIR870DP-T1-GE3

SIR870DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIR880ADP-T1-GE3

SIR880ADP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIR878ADP-T1-GE3

SIR878ADP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIR870ADP-T1-GE3

SIR870ADP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIR873DP-T1-GE3

SIR873DP-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 150V 37A POWERPAKSO

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIR882DP-T1-GE3

SIR882DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIR870ADP-T1-RE3

SIR870ADP-T1-RE3

Описание: MOSFET N-CH 100V 60A POWERPAKSO

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIR888DP-T1-GE3

SIR888DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIR880DP-T1-GE3

SIR880DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIR878DP-T1-GE3

SIR878DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIR878BDP-T1-RE3

SIR878BDP-T1-RE3

Описание: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти