Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > SIRA14DP-T1-GE3
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
6908975SIRA14DP-T1-GE3 Image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIRA14DP-T1-GE3

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$0.83
10+
$0.728
100+
$0.561
500+
$0.416
1000+
$0.333
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    SIRA14DP-T1-GE3
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Vgs (макс.)
    +20V, -16V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    PowerPAK® SO-8
  • Серии
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5.1 mOhm @ 10A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    3.6W (Ta), 31.2W (Tc)
  • упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Упаковка /
    PowerPAK® SO-8
  • Другие названия
    SIRA14DP-T1-GE3CT
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    32 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    1450pF @ 15V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    29nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    30V
  • Подробное описание
    N-Channel 30V 58A (Tc) 3.6W (Ta), 31.2W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    58A (Tc)
SIRA10DP-T1-GE3

SIRA10DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIRA10BDP-T1-GE3

SIRA10BDP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CHAN 30V

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIRA24DP-T1-GE3

SIRA24DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIRA18ADP-T1-GE3

SIRA18ADP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 30.6A POWERPAKSO

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIRA04DP-T1-GE3

SIRA04DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIRA26DP-T1-RE3

SIRA26DP-T1-RE3

Описание: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIRA06DP-T1-GE3

SIRA06DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIRA01DP-T1-GE3

SIRA01DP-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 30V POWERPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIRA34DP-T1-GE3

SIRA34DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIRA20DP-T1-RE3

SIRA20DP-T1-RE3

Описание: MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIRA32DP-T1-RE3

SIRA32DP-T1-RE3

Описание: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIRA12BDP-T1-GE3

SIRA12BDP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CHAN 30V

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIRA00DP-T1-GE3

SIRA00DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIRA18DP-T1-GE3

SIRA18DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIRA16DP-T1-GE3

SIRA16DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V D-S PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIRA02DP-T1-GE3

SIRA02DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIRA12DP-T1-GE3

SIRA12DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIRA18DP-T1-RE3

SIRA18DP-T1-RE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 33A POWERPAKSO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIRA00DP-T1-RE3

SIRA00DP-T1-RE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIRA22DP-T1-RE3

SIRA22DP-T1-RE3

Описание: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти