SIRC18DP-T1-GE3

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

3000+

$0.63

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

SIRC18DP-T1-GE3
Изготовитель / Производитель

Electro-Films (EFI) / Vishay
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

SIRC18DP-T1-GE3.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA
Vgs (макс.)

+20V, -16V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

PowerPAK® SO-8
Серии

TrenchFET® Gen IV
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.1 mOhm @ 15A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

54.3W (Tc)
упаковка

Tape & Reel (TR)
Упаковка /

PowerPAK® SO-8
Другие названия

SIRC18DP-T1-GE3TR
Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления

32 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

5060pF @ 15V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

111nC @ 10V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

Schottky Diode (Body)
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

30V
Подробное описание

N-Channel 30V 60A (Tc) 54.3W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

60A (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с SIRC18DP-T1-GE3.

SIRA60DP-T1-RE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

SIRC18DP-T1-GE3

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

AMD запускает строительство втор...

Графическая карта NVIDIA RTX 5090 имее...

Антропик получает еще 4 миллиард...

Полу: продажи IC увеличиваются на...

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

Последняя кремниевая оптическа...

Индустрия восстанавливается ме...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Поставщик: большое количество к...

Тайвань, выходной стоимость пол...

Расширение производства панеле...

Выберите язык

Текущий язык