Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > SIS415DNT-T1-GE3
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
1931100SIS415DNT-T1-GE3 Image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIS415DNT-T1-GE3

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$0.95
10+
$0.829
100+
$0.64
500+
$0.474
1000+
$0.379
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    SIS415DNT-T1-GE3
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (макс.)
    ±12V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    PowerPAK® 1212-8
  • Серии
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4 mOhm @ 20A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    3.7W (Ta), 52W (Tc)
  • упаковка
    Original-Reel®
  • Упаковка /
    PowerPAK® 1212-8
  • Другие названия
    SIS415DNT-T1-GE3DKR
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    5460pF @ 10V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    180nC @ 10V
  • Тип FET
    P-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    20V
  • Подробное описание
    P-Channel 20V 35A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    35A (Tc)
SIS439DNT-T1-GE3

SIS439DNT-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIS429DNT-T1-GE3

SIS429DNT-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 30V 20A POWERPAK1212

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIS334DN-T1-GE3

SIS334DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIS413DN-T1-GE3

SIS413DN-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIS427EDN-T1-GE3

SIS427EDN-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIS426DN-T1-GE3

SIS426DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 20V 35A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIS430DN-T1-GE3

SIS430DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIS438DN-T1-GE3

SIS438DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIS412DN-T1-GE3

SIS412DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8 PPAK

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIS406DN-T1-GE3

SIS406DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8 PPAK

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIS330DN-T1-GE3

SIS330DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIS434DN-T1-GE3

SIS434DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIS402DN-T1-GE3

SIS402DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIS410DN-T1-GE3

SIS410DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIS436DN-T1-GE3

SIS436DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 25V 16A PPAK 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIS407ADN-T1-GE3

SIS407ADN-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 20V 18A 1212-8 PPAK

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIS414DN-T1-GE3

SIS414DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8 PPAK

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIS435DNT-T1-GE3

SIS435DNT-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 20V 30A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIS407DN-T1-GE3

SIS407DN-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 20V 25A 1212-8 PPAK

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIS424DN-T1-GE3

SIS424DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти