Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > SISA10DN-T1-GE3
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
6926906SISA10DN-T1-GE3 Image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SISA10DN-T1-GE3

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
3000+
$0.483
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    SISA10DN-T1-GE3
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 30V 30A 1212-8
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Vgs (макс.)
    +20V, -16V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    PowerPAK® 1212-8
  • Серии
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.7 mOhm @ 10A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    3.6W (Ta), 39W (Tc)
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    PowerPAK® 1212-8
  • Другие названия
    SISA10DN-T1-GE3TR
    SISA10DNT1GE3
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    32 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    2425pF @ 15V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    51nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    30V
  • Подробное описание
    N-Channel 30V 30A (Tc) 3.6W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    30A (Tc)
SIS932EDN-T1-GE3

SIS932EDN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIS892DN-T1-GE3

SIS892DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SISA26DN-T1-GE3

SISA26DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIS990DN-T1-GE3

SIS990DN-T1-GE3

Описание: MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIS892ADN-T1-GE3

SIS892ADN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 100V 28A PPAK 1212

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SISA24DN-T1-GE3

SISA24DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SISA34DN-T1-GE3

SISA34DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIS888DN-T1-GE3

SIS888DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 150V 20.2A 1212-8S

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIS902DN-T1-GE3

SIS902DN-T1-GE3

Описание: MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SISA72DN-T1-GE3

SISA72DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAK1212

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SISA66DN-T1-GE3

SISA66DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIS903DN-T1-GE3

SIS903DN-T1-GE3

Описание: MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SISA14DN-T1-GE3

SISA14DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SISA04DN-T1-GE3

SISA04DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SIS890DN-T1-GE3

SIS890DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SISA01DN-T1-GE3

SISA01DN-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 30V POWERPAK 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SISA12ADN-T1-GE3

SISA12ADN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SISA18DN-T1-GE3

SISA18DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SISA16DN-T1-GE3

SISA16DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V D-S PPAK 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SISA18ADN-T1-GE3

SISA18ADN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти