SIZF916DT-T1-GE3

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

3000+

$0.761

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

SIZF916DT-T1-GE3
Изготовитель / Производитель

Electro-Films (EFI) / Vishay
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH DUAL 30V
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

SIZF916DT-T1-GE3.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Поставщик Упаковка устройства

8-PowerPair® (6x5)
Серии

TrenchFET® Gen IV
Rds On (Max) @ Id, Vgs

4 mOhm @ 10A, 10V, 1.25 mOhm @ 10A, 10V
Мощность - Макс

3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)
упаковка

Tape & Reel (TR)
Упаковка /

8-PowerWDFN
Другие названия

SIZF916DT-T1-GE3TR
Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления

32 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

22nC @ 10V, 95nC @ 10V
Тип FET

2 N-Channel (Dual)
FET Характеристика

Standard
Слить к источнику напряжения (VDSS)

30V
Подробное описание

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 23A (Ta), 40A (Tc) 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

23A (Ta), 40A (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с SIZF916DT-T1-GE3.

SIZ704DT-T1-GE3

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 12A PPAK 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

SIZF916DT-T1-GE3

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

Антропик получает еще 4 миллиард...

Полу: продажи IC увеличиваются на...

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

Последняя кремниевая оптическа...

Индустрия восстанавливается ме...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Поставщик: большое количество к...

Тайвань, выходной стоимость пол...

Расширение производства панеле...

Amazon увеличивает усилия по созда...

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

Выберите язык

Текущий язык