Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > SUG90090E-GE3
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
1641126SUG90090E-GE3 Image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SUG90090E-GE3

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$5.24
10+
$4.677
100+
$3.835
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    SUG90090E-GE3
  • Изготовитель / Производитель
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    SUG90090E-GE3.pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    TO-247AC
  • Серии
    ThunderFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9.5 mOhm @ 20A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    395W (Tc)
  • упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Упаковка /
    TO-247-3
  • Другие названия
    SUG90090E-GE3CT
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип установки
    Through Hole
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    5220pF @ 100V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    129nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    7.5V, 10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    200V
  • Подробное описание
    N-Channel 200V 100A (Tc) 395W (Tc) Through Hole TO-247AC
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    100A (Tc)

Антропик получает еще 4 миллиард...

2024/11/23

Полу: продажи IC увеличиваются на...

2024/11/22

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15

Amazon увеличивает усилия по созда...

2024/11/14

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

2024/11/13
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с SUG90090E-GE3.
SI9407BDY-T1-E3

SI9407BDY-T1-E3

Описание: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI4848ADY-T1-GE3

SI4848ADY-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 150V 5.5A 8SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
AOTF6N90

AOTF6N90

Описание: MOSFET N-CH 900V 6A TO220F

Производители: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Быть в наличии
RFQ
IRF740BPBF

IRF740BPBF

Описание: MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
TPH2R608NH,L1Q

TPH2R608NH,L1Q

Описание: MOSFET N-CH 75V 150A SOP8

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
IXFH24N50Q

IXFH24N50Q

Описание: MOSFET N-CH 500V 24A TO-247

Производители: IXYS Corporation
Быть в наличии
RFQ
CSD25501F3T

CSD25501F3T

Описание: 20-V P-CHANNEL FEMTOFET MOSFET

Производители: Luminary Micro / Texas Instruments
Быть в наличии
RFQ
IRFR48ZPBF

IRFR48ZPBF

Описание: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
SUGRU-001

SUGRU-001

Описание: SUGRU (3 PACK)

Производители: Pimoroni
Быть в наличии
RFQ
AOTF240L

AOTF240L

Описание: MOSFET N-CH 40V 20A TO220F

Производители: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Быть в наличии
RFQ
SUG80050E-GE3

SUG80050E-GE3

Описание: MOSFET N-CH 150V 100A TO247AC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
FQA7N80C

FQA7N80C

Описание: MOSFET N-CH 800V 7A TO-3P

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
IXFN240N25X3

IXFN240N25X3

Описание: MOSFET N-CH 250V 240A SOT227B

Производители: IXYS Corporation
Быть в наличии
RFQ
IXFH34N50P3

IXFH34N50P3

Описание: MOSFET N-CH 500V 34A TO-247

Производители: IXYS Corporation
Быть в наличии
RFQ
IXTT80N20L

IXTT80N20L

Описание: MOSFET N-CH 200V 80A TO-268

Производители: IXYS Corporation
Быть в наличии
RFQ
IXTN46N50L

IXTN46N50L

Описание: MOSFET N-CH 500V 46A SOT-227B

Производители: IXYS Corporation
Быть в наличии
RFQ
RCJ700N20TL

RCJ700N20TL

Описание: MOSFET N-CH 200V 70A LPTS

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
IRFP2907ZPBF

IRFP2907ZPBF

Описание: MOSFET N-CH 75V 90A TO-247AC

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
SUGRU-003

SUGRU-003

Описание: MAKE EVERYTHING MAGNETIC-SUGRU

Производители: Pimoroni
Быть в наличии
RFQ
SUGRU-002

SUGRU-002

Описание: SUGRU (8 PACK)

Производители: Pimoroni
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.