Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Диоды - выпрямители - сингл > 1N8033-GA
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
23389361N8033-GA Image.GeneSiC Semiconductor

1N8033-GA

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$193.31
10+
$183.982
25+
$177.316
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    1N8033-GA
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Напряжение - Пиковое обратное (Макс)
    Silicon Carbide Schottky
  • Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если
    4.3A (DC)
  • Напряжение - Разбивка
    TO-276
  • Серии
    -
  • Статус RoHS
    Tube
  • Обратное время восстановления (ТИР)
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Сопротивление @ Если, F
    274pF @ 1V, 1MHz
  • поляризация
    TO-276AA
  • Другие названия
    1242-1120
    1N8033GA
  • Рабочая температура - Соединение
    0ns
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень влажности (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    18 Weeks
  • Номер детали производителя
    1N8033-GA
  • Расширенное описание
    Diode Silicon Carbide Schottky 650V 4.3A (DC) Surface Mount TO-276
  • Диод Конфигурация
    5µA @ 650V
  • Описание
    DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276
  • Ток - Обратный утечки @ Vr
    1.65V @ 5A
  • Текущий - средний выпрямленный (Io) (за Diode)
    650V
  • Емкостной @ В.Р., F
    -55°C ~ 250°C
1N821AUR-1

1N821AUR-1

Описание: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

Производители: Microsemi
Быть в наличии
1N8035-GA

1N8035-GA

Описание: DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276

Производители: GeneSiC Semiconductor
Быть в наличии
1N822

1N822

Описание: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Производители: Microsemi
Быть в наличии
1N8165US

1N8165US

Описание: TVS DIODE 33V 53.6V

Производители: Microsemi
Быть в наличии
1N821A

1N821A

Описание: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Производители: Microsemi
Быть в наличии
1N821A (DO35)

1N821A (DO35)

Описание: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Производители: Microsemi
Быть в наличии
1N821A, SEL. 1% VBR

1N821A, SEL. 1% VBR

Описание: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Производители: Microsemi
Быть в наличии
1N8182

1N8182

Описание: TVS DIODE 170V 294V A AXIAL

Производители: Microsemi
Быть в наличии
1N8031-GA

1N8031-GA

Описание: DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276

Производители: GeneSiC Semiconductor
Быть в наличии
1N8024-GA

1N8024-GA

Описание: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 750MA TO257

Производители: GeneSiC Semiconductor
Быть в наличии
1N821AUR

1N821AUR

Описание: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

Производители: Microsemi
Быть в наличии
1N8026-GA

1N8026-GA

Описание: DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257

Производители: GeneSiC Semiconductor
Быть в наличии
1N8030-GA

1N8030-GA

Описание: DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257

Производители: GeneSiC Semiconductor
Быть в наличии
1N8034-GA

1N8034-GA

Описание: DIODE SCHOTTKY 650V 9.4A TO257

Производители: GeneSiC Semiconductor
Быть в наличии
1N821-1

1N821-1

Описание: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Производители: Microsemi
Быть в наличии
1N8028-GA

1N8028-GA

Описание: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257

Производители: GeneSiC Semiconductor
Быть в наличии
1N821UR-1

1N821UR-1

Описание: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

Производители: Microsemi
Быть в наличии
1N8149

1N8149

Описание: TVS DIODE 6.8V 12.8V A AXIAL

Производители: Microsemi
Быть в наличии
1N8032-GA

1N8032-GA

Описание: DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257

Производители: GeneSiC Semiconductor
Быть в наличии
1N821

1N821

Описание: DIODE ZENER DO35

Производители: Microsemi
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти