Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Диоды - выпрямители - сингл > GAP3SLT33-220FP
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
5788013GAP3SLT33-220FP Image.GeneSiC Semiconductor

GAP3SLT33-220FP

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$17.67
10+
$16.065
25+
$14.86
100+
$13.655
250+
$12.45
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    GAP3SLT33-220FP
  • Изготовитель / Производитель
    GeneSiC Semiconductor
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA TO220
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    GAP3SLT33-220FP.pdf
  • Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если
    1.7V @ 300mA
  • Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс)
    3300V
  • Поставщик Упаковка устройства
    TO-220FP
  • скорость
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Серии
    -
  • Обратное время восстановления (ТИР)
    0ns
  • упаковка
    Tube
  • Упаковка /
    TO-220-2 Full Pack
  • Другие названия
    1242-1183
    GAP3SLT33220FP
  • Рабочая температура - Соединение
    -55°C ~ 175°C
  • Тип установки
    Through Hole
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    18 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Диод Тип
    Silicon Carbide Schottky
  • Подробное описание
    Diode Silicon Carbide Schottky 3300V 300mA Through Hole TO-220FP
  • Ток - Обратный утечки @ Vr
    5µA @ 3300V
  • Текущий - средний выпрямленный (Io)
    300mA
  • Емкостной @ В.Р., F
    42pF @ 1V, 1MHz
  • Номер базового номера
    GAP3SLT33

Антропик получает еще 4 миллиард...

2024/11/23

Полу: продажи IC увеличиваются на...

2024/11/22

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15

Amazon увеличивает усилия по созда...

2024/11/14

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

2024/11/13
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с GAP3SLT33-220FP.
SFS1003GHMNG

SFS1003GHMNG

Описание: DIODE GEN PURP 150V 10A TO263AB

Производители: TSC (Taiwan Semiconductor)
Быть в наличии
RFQ
LL4002G L0

LL4002G L0

Описание: DIODE GEN PURP 100V 1A MELF

Производители: TSC (Taiwan Semiconductor)
Быть в наличии
RFQ
GAP9

GAP9

Описание: FRONT SAFETY COVER CC9-150

Производители: Carlo Gavazzi
Быть в наличии
RFQ
MBR1690HC0G

MBR1690HC0G

Описание: DIODE SCHOTTKY 90V 16A TO220AC

Производители: TSC (Taiwan Semiconductor)
Быть в наличии
RFQ
GAP185

GAP185

Описание: FRONT SAFETY COVER CC185-800

Производители: Carlo Gavazzi
Быть в наличии
RFQ
FESF16HTHE3/45

FESF16HTHE3/45

Описание: DIODE GEN PURP 500V 16A ITO220AC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
GAP3SLT33-214

GAP3SLT33-214

Описание: DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA DO214

Производители: GeneSiC Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
RS1M M2G

RS1M M2G

Описание: DIODE GEN PURP 1A DO214AC

Производители: TSC (Taiwan Semiconductor)
Быть в наличии
RFQ
GAP05SLT80-220

GAP05SLT80-220

Описание: DIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIAL

Производители: GeneSiC Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
CDBF00340-HF

CDBF00340-HF

Описание: DIODE SCHOTTKY 40V 30MA 1005

Производители: Comchip Technology
Быть в наличии
RFQ
1N5406GP-TP

1N5406GP-TP

Описание: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Производители: Micro Commercial Components (MCC)
Быть в наличии
RFQ
BAV101 L1G

BAV101 L1G

Описание: DIODE GP 250V 200MA MINIMELF

Производители: TSC (Taiwan Semiconductor)
Быть в наличии
RFQ
S1PMHE3/85A

S1PMHE3/85A

Описание: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO220AA

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SURS8140T3G-VF01

SURS8140T3G-VF01

Описание: DIODE GEN PURP 400V 1A SMB

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
TSF20H120C-S C0G

TSF20H120C-S C0G

Описание: DIODE SCHOTTKY 120V 10A ITO220AB

Производители: TSC (Taiwan Semiconductor)
Быть в наличии
RFQ
UH10FT-E3/4W

UH10FT-E3/4W

Описание: DIODE GEN PURP 300V 10A TO220AC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
BYG20GHE3_A/I

BYG20GHE3_A/I

Описание: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A DO214

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
CDSV-21-G

CDSV-21-G

Описание: DIODE GEN PURP 200V 200MA SOD323

Производители: Comchip Technology
Быть в наличии
RFQ
JANTX1N5804URS

JANTX1N5804URS

Описание: DIODE GEN PURP 100V 1A APKG

Производители: Microsemi
Быть в наличии
RFQ
ESH1PC-M3/84A

ESH1PC-M3/84A

Описание: DIODE GEN PURP 150V 1A DO220AA

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.