LSIC1MO120E0080

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

$27.60

10+

$25.53

25+

$23.46

100+

$21.804

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

LSIC1MO120E0080
Изготовитель / Производитель

Hamlin / Littelfuse
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET SIC 1200V 39A TO247-3
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

LSIC1MO120E0080.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

4V @ 10mA
Vgs (макс.)

+22V, -6V
Технологии

SiCFET (Silicon Carbide)
Поставщик Упаковка устройства

TO-247-3
Серии

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

100 mOhm @ 20A, 20V
Рассеиваемая мощность (макс)

179W (Tc)
упаковка

Tube
Упаковка /

TO-247-3
Другие названия

F10335
Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления

29 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

1825pF @ 800V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

95nC @ 20V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

20V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

1200V
Подробное описание

N-Channel 1200V 39A (Tc) 179W (Tc) Through Hole TO-247-3
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

39A (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с LSIC1MO120E0080.

IPP80N04S3-04

Описание: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

LSIC1MO120E0080

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

Intel получит 7,86 млрд. Долл. США в р...

AMD запускает строительство втор...

Графическая карта NVIDIA RTX 5090 имее...

Антропик получает еще 4 миллиард...

Полу: продажи IC увеличиваются на...

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

Последняя кремниевая оптическа...

Индустрия восстанавливается ме...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Поставщик: большое количество к...

Тайвань, выходной стоимость пол...

Выберите язык

Текущий язык