Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Интегральные схемы (ICs) > Память > 70V3579S5BCI
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
412047070V3579S5BCI Image.IDT (Integrated Device Technology)

70V3579S5BCI

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
12+
$75.749
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    70V3579S5BCI
  • Изготовитель / Производитель
    IDT (Renesas Electronics Corporation)
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Содержит несоответствие свинца / RoHS
  • Спецификация
    1.70V3579S5BCI.pdf
    2.70V3579S5BCI.pdf
  • Время цикла записи - слово, страница
    -
  • Напряжение тока - поставка
    3.15 V ~ 3.45 V
  • Технологии
    SRAM - Dual Port, Synchronous
  • Поставщик Упаковка устройства
    256-CABGA (17x17)
  • Серии
    -
  • упаковка
    Tray
  • Упаковка /
    256-LBGA
  • Другие названия
    IDT70V3579S5BCI
    IDT70V3579S5BCI-ND
  • Рабочая Температура
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    4 (72 Hours)
  • Тип памяти
    Volatile
  • Размер памяти
    1.125Mb (32K x 36)
  • Интерфейс памяти
    Parallel
  • Формат памяти
    SRAM
  • Стандартное время изготовления
    10 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Подробное описание
    SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 1.125Mb (32K x 36) Parallel 5ns 256-CABGA (17x17)
  • Номер базового номера
    IDT70V3579
  • Время доступа
    5ns

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15

Amazon увеличивает усилия по созда...

2024/11/14

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Южная Корея планирует ввести За...

2024/11/13
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с 70V3579S5BCI.
70V3579S5BCGI

70V3579S5BCGI

Описание: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Производители: IDT (Integrated Device Technology)
Быть в наличии
RFQ
70V3579S5BFI8

70V3579S5BFI8

Описание: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Производители: IDT (Integrated Device Technology)
Быть в наличии
RFQ
70V3579S4BF

70V3579S4BF

Описание: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Производители: IDT (Integrated Device Technology)
Быть в наличии
RFQ
70V3579S4BF8

70V3579S4BF8

Описание: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Производители: IDT (Integrated Device Technology)
Быть в наличии
RFQ
70V3579S5BC8

70V3579S5BC8

Описание: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Производители: IDT (Integrated Device Technology)
Быть в наличии
RFQ
70V3579S4BCG

70V3579S4BCG

Описание: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Производители: IDT (Integrated Device Technology)
Быть в наличии
RFQ
70V3579S4BC8

70V3579S4BC8

Описание: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Производители: IDT (Integrated Device Technology)
Быть в наличии
RFQ
70V3579S4DRG

70V3579S4DRG

Описание: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Производители: IDT (Integrated Device Technology)
Быть в наличии
RFQ
70V3579S4BFG

70V3579S4BFG

Описание: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Производители: IDT (Integrated Device Technology)
Быть в наличии
RFQ
70V3579S6BC

70V3579S6BC

Описание: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Производители: IDT (Integrated Device Technology)
Быть в наличии
RFQ
70V3579S6BCI

70V3579S6BCI

Описание: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Производители: IDT (Integrated Device Technology)
Быть в наличии
RFQ
70V3579S5BCI8

70V3579S5BCI8

Описание: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Производители: IDT (Integrated Device Technology)
Быть в наличии
RFQ
70V3579S5BC

70V3579S5BC

Описание: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Производители: IDT (Integrated Device Technology)
Быть в наличии
RFQ
70V3579S5DRI

70V3579S5DRI

Описание: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Производители: IDT (Integrated Device Technology)
Быть в наличии
RFQ
70V3579S6BC8

70V3579S6BC8

Описание: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Производители: IDT (Integrated Device Technology)
Быть в наличии
RFQ
70V3579S4DR

70V3579S4DR

Описание: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Производители: IDT (Integrated Device Technology)
Быть в наличии
RFQ
70V3579S5DR

70V3579S5DR

Описание: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Производители: IDT (Integrated Device Technology)
Быть в наличии
RFQ
70V3579S5BF8

70V3579S5BF8

Описание: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Производители: IDT (Integrated Device Technology)
Быть в наличии
RFQ
70V3579S5BFI

70V3579S5BFI

Описание: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Производители: IDT (Integrated Device Technology)
Быть в наличии
RFQ
70V3579S5BF

70V3579S5BF

Описание: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Производители: IDT (Integrated Device Technology)
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.