Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Интегральные схемы (ICs) > Память > IS43DR86400C-3DBLI-TR
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
407433

IS43DR86400C-3DBLI-TR

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
2000+
$7.259
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    IS43DR86400C-3DBLI-TR
  • Изготовитель / Производитель
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    IS43DR86400C-3DBLI-TR.pdf
  • Время цикла записи - слово, страница
    15ns
  • Напряжение тока - поставка
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Технологии
    SDRAM - DDR2
  • Поставщик Упаковка устройства
    60-TWBGA (8x10.5)
  • Серии
    -
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    60-TFBGA
  • Рабочая Температура
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Тип памяти
    Volatile
  • Размер памяти
    512Mb (64M x 8)
  • Интерфейс памяти
    Parallel
  • Формат памяти
    DRAM
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Подробное описание
    SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 333MHz 450ps 60-TWBGA (8x10.5)
  • Тактовая частота
    333MHz
  • Время доступа
    450ps

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15

Amazon увеличивает усилия по созда...

2024/11/14

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Южная Корея планирует ввести За...

2024/11/13
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с IS43DR86400C-3DBLI-TR.
IS43DR82560C-3DBLI-TR

IS43DR82560C-3DBLI-TR

Описание: IC DRAM 2G PARALLEL 60TWBGA

Производители: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Быть в наличии
RFQ
IS43DR86400C-3DBI-TR

IS43DR86400C-3DBI-TR

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Производители: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Быть в наличии
RFQ
IS43DR86400E-25DBLI-TR

IS43DR86400E-25DBLI-TR

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Производители: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Быть в наличии
RFQ
IS43DR86400C-25DBL

IS43DR86400C-25DBL

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Производители: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Быть в наличии
RFQ
IS43DR86400D-25DBLI-TR

IS43DR86400D-25DBLI-TR

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Производители: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Быть в наличии
RFQ
IS43DR86400C-25DBLI

IS43DR86400C-25DBLI

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Производители: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Быть в наличии
RFQ
IS43DR86400C-3DBLI

IS43DR86400C-3DBLI

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Производители: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Быть в наличии
RFQ
IS43DR86400E-3DBL

IS43DR86400E-3DBL

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Производители: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Быть в наличии
RFQ
IS43DR86400C-25DBL-TR

IS43DR86400C-25DBL-TR

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Производители: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Быть в наличии
RFQ
IS43DR86400C-3DBI

IS43DR86400C-3DBI

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Производители: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Быть в наличии
RFQ
IS43DR86400E-25DBL

IS43DR86400E-25DBL

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Производители: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Быть в наличии
RFQ
IS43DR86400C-3DBL-TR

IS43DR86400C-3DBL-TR

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Производители: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Быть в наличии
RFQ
IS43DR86400D-3DBI

IS43DR86400D-3DBI

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Производители: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Быть в наличии
RFQ
IS43DR86400D-3DBLI-TR

IS43DR86400D-3DBLI-TR

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Производители: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Быть в наличии
RFQ
IS43DR86400E-25DBLI

IS43DR86400E-25DBLI

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Производители: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Быть в наличии
RFQ
IS43DR86400C-3DBL

IS43DR86400C-3DBL

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Производители: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Быть в наличии
RFQ
IS43DR86400D-3DBLI

IS43DR86400D-3DBLI

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Производители: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Быть в наличии
RFQ
IS43DR86400D-25DBLI

IS43DR86400D-25DBLI

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Производители: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Быть в наличии
RFQ
IS43DR86400D-3DBI-TR

IS43DR86400D-3DBI-TR

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Производители: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Быть в наличии
RFQ
IS43DR86400C-25DBLI-TR

IS43DR86400C-25DBLI-TR

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Производители: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.