Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > IXFN210N30P3
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
3557400IXFN210N30P3 Image.IXYS Corporation

IXFN210N30P3

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$39.68
10+
$36.699
100+
$31.343
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    IXFN210N30P3
  • Изготовитель / Производитель
    IXYS / Littelfuse
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 300V 192A SOT-227
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    IXFN210N30P3.pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    5V @ 8mA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    SOT-227B
  • Серии
    HiPerFET™, Polar3™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    14.5 mOhm @ 105A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    1500W (Tc)
  • упаковка
    Tube
  • Упаковка /
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Chassis Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    24 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    16200pF @ 25V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    268nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    300V
  • Подробное описание
    N-Channel 300V 192A (Tc) 1500W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    192A (Tc)

AMD запускает строительство втор...

2024/11/26

Графическая карта NVIDIA RTX 5090 имее...

2024/11/25

Антропик получает еще 4 миллиард...

2024/11/23

Полу: продажи IC увеличиваются на...

2024/11/22

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с IXFN210N30P3.
IXFN180N20

IXFN180N20

Описание: MOSFET N-CH 200V 180A SOT-227B

Производители: IXYS Corporation
Быть в наличии
RFQ
IXFN240N25X3

IXFN240N25X3

Описание: MOSFET N-CH 250V 240A SOT227B

Производители: IXYS Corporation
Быть в наличии
RFQ
IXFN180N07

IXFN180N07

Описание: MOSFET N-CH 70V 180A SOT-227B

Производители: IXYS Corporation
Быть в наличии
RFQ
IXFN180N25T

IXFN180N25T

Описание: MOSFET N-CH 250V 168A SOT-227

Производители: IXYS Corporation
Быть в наличии
RFQ
IXFN210N20P

IXFN210N20P

Описание: MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B

Производители: IXYS Corporation
Быть в наличии
RFQ
IXFN24N100

IXFN24N100

Описание: MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B

Производители: IXYS Corporation
Быть в наличии
RFQ
IXFN21N100Q

IXFN21N100Q

Описание: MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B

Производители: IXYS Corporation
Быть в наличии
RFQ
IXFN180N10

IXFN180N10

Описание: MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B

Производители: IXYS Corporation
Быть в наличии
RFQ
IXFN220N20X3

IXFN220N20X3

Описание: 200V/160A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

Производители: IXYS Corporation
Быть в наличии
RFQ
IXFN23N100

IXFN23N100

Описание: MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B

Производители: IXYS Corporation
Быть в наличии
RFQ
IXFN180N15P

IXFN180N15P

Описание: MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B

Производители: IXYS Corporation
Быть в наличии
RFQ
IXFN20N120P

IXFN20N120P

Описание: MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B

Производители: IXYS Corporation
Быть в наличии
RFQ
IXFN210N30X3

IXFN210N30X3

Описание: FET N-CHANNEL

Производители: IXYS Corporation
Быть в наличии
RFQ
IXFN20N120

IXFN20N120

Описание: MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B

Производители: IXYS Corporation
Быть в наличии
RFQ
IXFN230N10

IXFN230N10

Описание: MOSFET N-CH 100V 230A SOT-227B

Производители: IXYS Corporation
Быть в наличии
RFQ
IXFN240N15T2

IXFN240N15T2

Описание: MOSFET N-CH 150V 240A SOT227

Производители: IXYS Corporation
Быть в наличии
RFQ
IXFN200N10P

IXFN200N10P

Описание: MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B

Производители: IXYS
Быть в наличии
RFQ
IXFN24N100F

IXFN24N100F

Описание: MOSFET N-CH 1000V 24A SOT227B

Производители: IXYS RF
Быть в наличии
RFQ
IXFN230N20T

IXFN230N20T

Описание: MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227

Производители: IXYS Corporation
Быть в наличии
RFQ
IXFN200N07

IXFN200N07

Описание: MOSFET N-CH 70V 200A SOT-227B

Производители: IXYS Corporation
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.