IXFT23N80Q

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

$19.99

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

IXFT23N80Q
Изготовитель / Производитель

IXYS / Littelfuse
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 800V 23A TO-268(D3)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

IXFT23N80Q.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

4.5V @ 3mA
Vgs (макс.)

±30V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

TO-268
Серии

HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

420 mOhm @ 500mA, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

500W (Tc)
упаковка

Bulk
Упаковка /

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

4900pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

130nC @ 10V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

800V
Подробное описание

N-Channel 800V 23A (Tc) 500W (Tc) Surface Mount TO-268
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

23A (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с IXFT23N80Q.

IXFT24N50Q

Описание: MOSFET N-CH 500V 24A TO-268

Производители: IXYS Corporation

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

IXFT23N80Q

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

AMD запускает строительство втор...

Графическая карта NVIDIA RTX 5090 имее...

Антропик получает еще 4 миллиард...

Полу: продажи IC увеличиваются на...

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

Последняя кремниевая оптическа...

Индустрия восстанавливается ме...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Поставщик: большое количество к...

Тайвань, выходной стоимость пол...

Расширение производства панеле...

Выберите язык

Текущий язык