Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - igbt - сингл > IXGN200N170
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
1894858IXGN200N170 Image.IXYS Corporation

IXGN200N170

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
10+
$50.68
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    IXGN200N170
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    IGBT
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
  • Спецификация
  • Модель ECAD
  • Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)
    1700V
  • Vce (на) (Max) @ VGE, Ic
    2.6V @ 15V, 100A
  • режим для испытаний
    850V, 100A, 1 Ohm, 15V
  • Td (вкл / выкл) при 25 ° C
    37ns/320ns
  • Переключение энергии
    28mJ (on), 30mJ (off)
  • Поставщик Упаковка устройства
    SOT-227B
  • Серии
    -
  • Обратное время восстановления (ТИР)
    133ns
  • Мощность - Макс
    1250W
  • Упаковка /
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Chassis Mount
  • Стандартное время изготовления
    24 Weeks
  • Тип ввода
    Standard
  • Тип IGBT
    -
  • Заряд затвора
    540nC
  • Подробное описание
    IGBT 1700V 280A 1250W Chassis Mount SOT-227B
  • Ток - Коллектор Импульсные (ICM)
    1050A
  • Ток - коллектор (Ic) (Макс)
    280A
IXGN100N170

IXGN100N170

Описание: IGBT 1700V 160A GENX3 SOT-227B

Производители: IXYS Corporation
Быть в наличии
IXGN400N60B3

IXGN400N60B3

Описание: IGBT 600V 430A SOT-227

Производители: IXYS Corporation
Быть в наличии
IXGN40N60CD1

IXGN40N60CD1

Описание: IGBT 600V SOT-227B

Производители: IXYS Corporation
Быть в наличии
IXGN100N120

IXGN100N120

Описание: IGBT 160A 1200V SOT-227B

Производители: IXYS Corporation
Быть в наличии
IXGN200N60B

IXGN200N60B

Описание: IGBT FAST 600V 200A SOT-227B

Производители: IXYS Corporation
Быть в наличии
IXGM25N100A

IXGM25N100A

Описание: POWER MOSFET TO-3

Производители: IXYS Corporation
Быть в наличии
IXGM40N60AL

IXGM40N60AL

Описание: POWER MOSFET TO-3

Производители: IXYS Corporation
Быть в наличии
IXGN200N60A

IXGN200N60A

Описание: IGBT 300A 600V SOT-227B

Производители: IXYS Corporation
Быть в наличии
IXGM30N60

IXGM30N60

Описание: POWER MOSFET TO-3

Производители: IXYS Corporation
Быть в наличии
IXGN200N60B3

IXGN200N60B3

Описание: IGBT 300A 600V SOT-227B

Производители: IXYS Corporation
Быть в наличии
IXGN100N160A

IXGN100N160A

Описание: IGBT 200A 1600V SOT-227B

Производители: IXYS Corporation
Быть в наличии
IXGN120N60A3D1

IXGN120N60A3D1

Описание: IGBT 200A 600V SOT-227B

Производители: IXYS Corporation
Быть в наличии
IXGN200N60

IXGN200N60

Описание: IGBT 300A 600V SOT-227B

Производители: IXYS Corporation
Быть в наличии
IXGN400N30A3

IXGN400N30A3

Описание: IGBT 300V SOT-227B

Производители: IXYS Corporation
Быть в наличии
IXGN200N60A2

IXGN200N60A2

Описание: IGBT 600V 200A SOT-227B

Производители: IXYS Corporation
Быть в наличии
IXGN400N60A3

IXGN400N60A3

Описание: IGBT 400A 600V SOT-227B

Производители: IXYS Corporation
Быть в наличии
IXGN320N60A3

IXGN320N60A3

Описание: IGBT 600V SOT-227B

Производители: IXYS Corporation
Быть в наличии
IXGN120N60A3

IXGN120N60A3

Описание: IGBT 200A 600V SOT-227B

Производители: IXYS Corporation
Быть в наличии
IXGM40N60

IXGM40N60

Описание: POWER MOSFET TO-3

Производители: IXYS Corporation
Быть в наличии
IXGM40N60A

IXGM40N60A

Описание: IGBT LO VOLT 600V 75AMP TO-204AE

Производители: IXYS Corporation
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти