IXSQ20N60B2D1

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

IXSQ20N60B2D1
Изготовитель / Производитель

IXYS / Littelfuse
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

IGBT 600V 35A 190W TO3P
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

IXSQ20N60B2D1.pdf
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)

600V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic

2.5V @ 15V, 16A
режим для испытаний

-
Td (вкл / выкл) при 25 ° C

30ns/116ns
Переключение энергии

380µJ (off)
Поставщик Упаковка устройства

TO-3P
Серии

-
Обратное время восстановления (ТИР)

30ns
Мощность - Макс

190W
упаковка

Bulk
Упаковка /

TO-3P-3, SC-65-3
Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Тип ввода

Standard
Тип IGBT

PT
Заряд затвора

33nC
Подробное описание

IGBT PT 600V 35A 190W Through Hole TO-3P
Ток - коллектор (Ic) (Макс)

35A
Номер базового номера

IXS*20N60

Ниже приведены продукты, связанные с IXSQ20N60B2D1.

IXST15N120BD1

Описание: IGBT 1200V 30A 150W TO268

Производители: IXYS Corporation

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

IXSQ20N60B2D1

Онлайн - запрос

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

Последняя кремниевая оптическа...

Индустрия восстанавливается ме...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Поставщик: большое количество к...

Тайвань, выходной стоимость пол...

Расширение производства панеле...

Amazon увеличивает усилия по созда...

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Южная Корея планирует ввести За...

Выберите язык

Текущий язык