Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > BSC010NE2LSATMA1
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
2204050BSC010NE2LSATMA1 Image.International Rectifier (Infineon Technologies)

BSC010NE2LSATMA1

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$1.93
10+
$1.741
100+
$1.399
500+
$1.088
1000+
$0.902
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    BSC010NE2LSATMA1
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    PG-TDSON-8
  • Серии
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1 mOhm @ 30A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    2.5W (Ta), 96W (Tc)
  • упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Упаковка /
    8-PowerTDFN
  • Другие названия
    BSC010NE2LSATMA1CT
    BSC010NE2LSCT
    BSC010NE2LSCT-ND
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    4700pF @ 12V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    64nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    25V
  • Подробное описание
    N-Channel 25V 39A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    39A (Ta), 100A (Tc)
BSC010N04LSATMA1

BSC010N04LSATMA1

Описание: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
BSC010N04LSIATMA1

BSC010N04LSIATMA1

Описание: MOSFET N-CH 40V 37A 8TDSON

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
BSC014N03MSGATMA1

BSC014N03MSGATMA1

Описание: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
BSC009NE2LSATMA1

BSC009NE2LSATMA1

Описание: MOSFET N-CH 25V 41A TDSON-8

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
BSC010N04LSTATMA1

BSC010N04LSTATMA1

Описание: DIFFERENTIATED MOSFETS

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
BSC011N03LSATMA1

BSC011N03LSATMA1

Описание: MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
BSC014N04LSATMA1

BSC014N04LSATMA1

Описание: MOSFET N-CH 40V 32A TDSON-8

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
BSC014N06NSATMA1

BSC014N06NSATMA1

Описание: MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
BSC009NE2LS5ATMA1

BSC009NE2LS5ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 25V 41A 8TDSON

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
BSC014N04LSIATMA1

BSC014N04LSIATMA1

Описание: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
BSC010NE2LSIATMA1

BSC010NE2LSIATMA1

Описание: MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
BSC010N04LSCATMA1

BSC010N04LSCATMA1

Описание: DIFFERENTIATED MOSFETS

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
BSC011N03LSIATMA1

BSC011N03LSIATMA1

Описание: MOSFET N-CH 30V 37A TDSON-8

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
BSC009NE2LS5IATMA1

BSC009NE2LS5IATMA1

Описание: MOSFET N-CH 25V 40A 8TDSON IND

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
BSC014N04LSTATMA1

BSC014N04LSTATMA1

Описание: DIFFERENTIATED MOSFETS

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
BSC014NE2LSIATMA1

BSC014NE2LSIATMA1

Описание: MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
BSC014N03LSGATMA1

BSC014N03LSGATMA1

Описание: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
BSC014N06NSTATMA1

BSC014N06NSTATMA1

Описание: DIFFERENTIATED MOSFETS

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
BSC011N03LSTATMA1

BSC011N03LSTATMA1

Описание: DIFFERENTIATED MOSFETS

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
BSC015NE2LS5IATMA1

BSC015NE2LS5IATMA1

Описание: MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти