Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > BSC028N06NSATMA1
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
1092146BSC028N06NSATMA1 Image.Infineon Technologies

BSC028N06NSATMA1

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$1.79
10+
$1.605
100+
$1.29
500+
$1.06
1000+
$0.878
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    BSC028N06NSATMA1
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 60V 23A TDSON-8
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Модель ECAD
  • Напряжение - испытания
    2700pF @ 30V
  • Напряжение - Разбивка
    PG-TDSON-8
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    2.8 mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (макс.)
    6V, 10V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Серии
    OptiMOS™
  • Статус RoHS
    Cut Tape (CT)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    23A (Ta), 100A (Tc)
  • поляризация
    8-PowerTDFN
  • Другие названия
    BSC028N06NS
    BSC028N06NS-ND
    BSC028N06NSATMA1CT
    BSC028N06NSCT-ND
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень влажности (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    16 Weeks
  • Номер детали производителя
    BSC028N06NSATMA1
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    37nC @ 10V
  • Тип IGBT
    ±20V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    2.8V @ 50µA
  • FET Характеристика
    N-Channel
  • Расширенное описание
    N-Channel 60V 23A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    -
  • Описание
    MOSFET N-CH 60V 23A TDSON-8
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    60V
  • Коэффициент емкости
    2.5W (Ta), 83W (Tc)
BSC026N08NS5ATMA1

BSC026N08NS5ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 80V 23A 8TDSON

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
BSC030N03LSGATMA1

BSC030N03LSGATMA1

Описание: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
BSC027N04LSGATMA1

BSC027N04LSGATMA1

Описание: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
BSC025N03MSGATMA1

BSC025N03MSGATMA1

Описание: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
BSC028N06LS3GATMA1

BSC028N06LS3GATMA1

Описание: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
BSC027N06LS5ATMA1

BSC027N06LS5ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 60V 100A 8TDSON

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
BSC027N03S G

BSC027N03S G

Описание: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
BSC030N08NS5ATMA1

BSC030N08NS5ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
BSC029N025S G

BSC029N025S G

Описание: MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
BSC026N04LSATMA1

BSC026N04LSATMA1

Описание: MOSFET N-CH 40V 23A 8TDSON

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
BSC028N06NSTATMA1

BSC028N06NSTATMA1

Описание: DIFFERENTIATED MOSFETS

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
BSC030N03MSGATMA1

BSC030N03MSGATMA1

Описание: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
BSC025N03LSGATMA1

BSC025N03LSGATMA1

Описание: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
BSC031N06NS3GATMA1

BSC031N06NS3GATMA1

Описание: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
BSC030N04NSGATMA1

BSC030N04NSGATMA1

Описание: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
BSC032N03SG

BSC032N03SG

Описание: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
BSC026NE2LS5ATMA1

BSC026NE2LS5ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 25V 24A 8TDSON

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
BSC030P03NS3GAUMA1

BSC030P03NS3GAUMA1

Описание: MOSFET P-CH 30V 100A TDSON-8

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
BSC026N02KSGAUMA1

BSC026N02KSGAUMA1

Описание: MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
BSC032N03S

BSC032N03S

Описание: MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти