Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > BTS282Z E3230
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
6341890BTS282Z E3230 Image.International Rectifier (Infineon Technologies)

BTS282Z E3230

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    BTS282Z E3230
  • Изготовитель / Производитель
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    BTS282Z E3230.pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    2V @ 240µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    P-TO220-7-230
  • Серии
    TEMPFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6.5 mOhm @ 36A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    300W (Tc)
  • упаковка
    Tube
  • Упаковка /
    TO-220-7
  • Другие названия
    BTS282Z E3230-ND
    BTS282ZE3230
    BTS282ZE3230AKSA1
    BTS282ZE3230NK
    SP000012357
    SP000457996
  • Рабочая Температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип установки
    Through Hole
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    4800pF @ 25V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    232nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    Temperature Sensing Diode
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    49V
  • Подробное описание
    N-Channel 49V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole P-TO220-7-230
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    80A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с BTS282Z E3230.
BTS247ZE3062AATMA2

BTS247ZE3062AATMA2

Описание: MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
BTS282ZE3230AKSA2

BTS282ZE3230AKSA2

Описание: MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
BTS3035EJXUMA1

BTS3035EJXUMA1

Описание: IC LOW SIDE PWR SWITCH 8TDSO

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
BTS244Z E3062A

BTS244Z E3062A

Описание: MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
BTS244ZE3062AATMA2

BTS244ZE3062AATMA2

Описание: MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
BTS3046SDLATMA1

BTS3046SDLATMA1

Описание: IC SW SMART LOW SIDE TO252-3-11

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
BTS282ZE3180AATMA2

BTS282ZE3180AATMA2

Описание: MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
BTS3018TCATMA1

BTS3018TCATMA1

Описание: IC PWR LOAD SWITCH 60V

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
BTS247Z E3062A

BTS247Z E3062A

Описание: MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
BTS282ZAKSA1

BTS282ZAKSA1

Описание: MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
BTS3028SDLATMA1

BTS3028SDLATMA1

Описание: IC SWITCH SMART LOWSIDE TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
BTS245A

BTS245A

Описание: HEX STANDOFF #8-32 BRASS 1-1/2"

Производители: Essentra Components
Быть в наличии
RFQ
BTS244ZNKSA1

BTS244ZNKSA1

Описание: MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
BTS244ZE3043AKSA2

BTS244ZE3043AKSA2

Описание: MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
BTS247ZAKSA1

BTS247ZAKSA1

Описание: MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
BTS3046SDRATMA1

BTS3046SDRATMA1

Описание: IC SW SMART LOW SIDE TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
BTS247ZE3043AKSA1

BTS247ZE3043AKSA1

Описание: MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
BTS282Z E3180A

BTS282Z E3180A

Описание: MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
BTS3028SDRATMA1

BTS3028SDRATMA1

Описание: IC SW SMART LOW SIDE TO252-3-11

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
BTS3035TFATMA1

BTS3035TFATMA1

Описание: IC LOW SIDE PWR SWITCH TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.