Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > IPB020N10N5LFATMA1
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
4540207IPB020N10N5LFATMA1 Image.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB020N10N5LFATMA1

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$9.35
10+
$8.415
100+
$6.919
500+
$5.797
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    IPB020N10N5LFATMA1
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 100V D2PAK-3
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    4.1V @ 270µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    PG-TO263-3
  • Серии
    OptiMOS™-5
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2 mOhm @ 100A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    313W (Tc)
  • упаковка
    Original-Reel®
  • Упаковка /
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Другие названия
    IPB020N10N5LFATMA1DKR
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    840pF @ 50V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    195nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    100V
  • Подробное описание
    N-Channel 100V 120A (Tc) 313W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    120A (Tc)
IPB019N06L3GATMA1

IPB019N06L3GATMA1

Описание: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB025N08N3GATMA1

IPB025N08N3GATMA1

Описание: MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB025N10N3GE8187ATMA1

IPB025N10N3GE8187ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB023N06N3GATMA1

IPB023N06N3GATMA1

Описание: MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB022N04LGATMA1

IPB022N04LGATMA1

Описание: MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB019N08N3GATMA1

IPB019N08N3GATMA1

Описание: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB020N04NGATMA1

IPB020N04NGATMA1

Описание: MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB020N08N5ATMA1

IPB020N08N5ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 80V 140A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB017N06N3GATMA1

IPB017N06N3GATMA1

Описание: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB024N08N5ATMA1

IPB024N08N5ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 80V TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB016N06L3GATMA1

IPB016N06L3GATMA1

Описание: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB024N10N5ATMA1

IPB024N10N5ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB017N08N5ATMA1

IPB017N08N5ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB021N06N3GATMA1

IPB021N06N3GATMA1

Описание: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB017N10N5ATMA1

IPB017N10N5ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK-7

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB023N04NGATMA1

IPB023N04NGATMA1

Описание: MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB017N10N5LFATMA1

IPB017N10N5LFATMA1

Описание: MOSFET N-CH 100V D2PAK-7

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB020NE7N3GATMA1

IPB020NE7N3GATMA1

Описание: MOSFET N-CH 75V 120A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB025N10N3GATMA1

IPB025N10N3GATMA1

Описание: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB020N10N5ATMA1

IPB020N10N5ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти