Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > IPB042N10N3GATMA1
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
744513IPB042N10N3GATMA1 Image.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB042N10N3GATMA1

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$3.28
10+
$2.96
100+
$2.379
500+
$1.85
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    IPB042N10N3GATMA1
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    3.5V @ 150µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    D²PAK (TO-263AB)
  • Серии
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.2 mOhm @ 50A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    214W (Tc)
  • упаковка
    Original-Reel®
  • Упаковка /
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Другие названия
    IPB042N10N3 GDKR
    IPB042N10N3 GDKR-ND
    IPB042N10N3GATMA1DKR
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    8410pF @ 50V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    117nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    100V
  • Подробное описание
    N-Channel 100V 100A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    100A (Tc)
IPB039N10N3GE8187ATMA1

IPB039N10N3GE8187ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB03N03LA G

IPB03N03LA G

Описание: MOSFET N-CH 25V 80A TO-263

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB04N03LA G

IPB04N03LA G

Описание: MOSFET N-CH 25V 80A TO-263

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB044N15N5ATMA1

IPB044N15N5ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB03N03LB G

IPB03N03LB G

Описание: MOSFET N-CH 30V 80A TO-263

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB03N03LB

IPB03N03LB

Описание: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB038N12N3GATMA1

IPB038N12N3GATMA1

Описание: MOSFET N-CH 120V 120A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB042N10N3GE8187ATMA1

IPB042N10N3GE8187ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB039N04LGATMA1

IPB039N04LGATMA1

Описание: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB049N06L3GATMA1

IPB049N06L3GATMA1

Описание: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB049N08N5ATMA1

IPB049N08N5ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 80V TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB04N03LA

IPB04N03LA

Описание: MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB048N06LGATMA1

IPB048N06LGATMA1

Описание: MOSFET N-CH 60V 100A TO-263

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB048N15N5ATMA1

IPB048N15N5ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB03N03LA

IPB03N03LA

Описание: MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB042N03LGATMA1

IPB042N03LGATMA1

Описание: MOSFET N-CH 30V 70A TO-263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB041N04NGATMA1

IPB041N04NGATMA1

Описание: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB048N15N5LFATMA1

IPB048N15N5LFATMA1

Описание: MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB039N10N3GATMA1

IPB039N10N3GATMA1

Описание: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB049NE7N3GATMA1

IPB049NE7N3GATMA1

Описание: MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти