Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > IPB050N06NGATMA1
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
5232666IPB050N06NGATMA1 Image.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB050N06NGATMA1

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    IPB050N06NGATMA1
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 60V 100A TO-263
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    4V @ 270µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    D²PAK (TO-263AB)
  • Серии
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.7 mOhm @ 100A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    300W (Tc)
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Другие названия
    IPB050N06N G
    IPB050N06N G-ND
    IPB050N06NGATMA1TR
    IPB050N06NGINTR
    IPB050N06NGINTR-ND
    IPB050N06NGXT
    SP000204170
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    6100pF @ 30V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    167nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    60V
  • Подробное описание
    N-Channel 60V 100A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    100A (Tc)
IPB04N03LA G

IPB04N03LA G

Описание: MOSFET N-CH 25V 80A TO-263

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB05N03LAT

IPB05N03LAT

Описание: MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB054N08N3GATMA1

IPB054N08N3GATMA1

Описание: MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB049N06L3GATMA1

IPB049N06L3GATMA1

Описание: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB05N03LB

IPB05N03LB

Описание: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB05N03LA G

IPB05N03LA G

Описание: MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB048N15N5ATMA1

IPB048N15N5ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB05N03LA

IPB05N03LA

Описание: MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB049N08N5ATMA1

IPB049N08N5ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 80V TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB048N15N5LFATMA1

IPB048N15N5LFATMA1

Описание: MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB04N03LA

IPB04N03LA

Описание: MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB055N03LGATMA1

IPB055N03LGATMA1

Описание: MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB04N03LAT

IPB04N03LAT

Описание: MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB052N04NGATMA1

IPB052N04NGATMA1

Описание: MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB04N03LB G

IPB04N03LB G

Описание: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB057N06NATMA1

IPB057N06NATMA1

Описание: MOSFET N-CH 60V 17A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB049NE7N3GATMA1

IPB049NE7N3GATMA1

Описание: MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB054N06N3GATMA1

IPB054N06N3GATMA1

Описание: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB04N03LB

IPB04N03LB

Описание: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB05CN10N G

IPB05CN10N G

Описание: MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти