Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > IPB12CN10N G
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
4031510IPB12CN10N G Image.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB12CN10N G

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    IPB12CN10N G
  • Изготовитель / Производитель
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 100V 67A TO263-3
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    IPB12CN10N G.pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    4V @ 83µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    D²PAK (TO-263AB)
  • Серии
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    12.6 mOhm @ 67A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    125W (Tc)
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Другие названия
    IPB12CN10N G-ND
    IPB12CN10NG
    SP000096450
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    4320pF @ 50V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    65nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    100V
  • Подробное описание
    N-Channel 100V 67A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    67A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с IPB12CN10N G.
IPB14N03LA

IPB14N03LA

Описание: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPB120N10S403ATMA1

IPB120N10S403ATMA1

Описание: MOSFET N-CH TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPB13N03LB G

IPB13N03LB G

Описание: MOSFET N-CH 30V 30A TO-263

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPB14N03LA G

IPB14N03LA G

Описание: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPB13N03LB

IPB13N03LB

Описание: MOSFET N-CH 30V 30A D2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPB120N10S405ATMA1

IPB120N10S405ATMA1

Описание: MOSFET N-CH TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPB120N06S4H1ATMA2

IPB120N06S4H1ATMA2

Описание: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPB120P04P404ATMA1

IPB120P04P404ATMA1

Описание: MOSFET P-CH TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPB120N08S403ATMA1

IPB120N08S403ATMA1

Описание: MOSFET N-CH TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPB120N06S4H1ATMA1

IPB120N06S4H1ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPB120N06S403ATMA2

IPB120N06S403ATMA2

Описание: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPB136N08N3 G

IPB136N08N3 G

Описание: MOSFET N-CH 80V 45A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPB120P04P4L03ATMA1

IPB120P04P4L03ATMA1

Описание: MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPB147N03LGATMA1

IPB147N03LGATMA1

Описание: MOSFET N-CH 30V 20A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPB14N03LAT

IPB14N03LAT

Описание: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPB12CNE8N G

IPB12CNE8N G

Описание: MOSFET N-CH 85V 67A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPB123N10N3GATMA1

IPB123N10N3GATMA1

Описание: MOSFET N-CH 100V 58A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPB140N08S404ATMA1

IPB140N08S404ATMA1

Описание: MOSFET N-CH TO263-7

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPB144N12N3GATMA1

IPB144N12N3GATMA1

Описание: MOSFET N-CH 120V 56A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPB120N08S404ATMA1

IPB120N08S404ATMA1

Описание: MOSFET N-CH TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.