Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > IPB600N25N3GATMA1
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
5790324IPB600N25N3GATMA1 Image.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB600N25N3GATMA1

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1000+
$1.514
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    IPB600N25N3GATMA1
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 250V 25A TO263-3
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Модель ECAD
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    4V @ 90µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    D²PAK (TO-263AB)
  • Серии
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    60 mOhm @ 25A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    136W (Tc)
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Другие названия
    IPB600N25N3 G
    IPB600N25N3 G-ND
    IPB600N25N3 GTR
    IPB600N25N3 GTR-ND
    IPB600N25N3G
    IPB600N25N3GATMA1TR
    SP000676408
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    2350pF @ 100V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    29nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    250V
  • Подробное описание
    N-Channel 250V 25A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    25A (Tc)
IPB50R140CPATMA1

IPB50R140CPATMA1

Описание: MOSFET N-CH 550V 23A TO-263

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB60R060C7ATMA1

IPB60R060C7ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 650V 35A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB48010A033V-001-R

IPB48010A033V-001-R

Описание: DC DC CONVERTER 3.3V

Производители: TDK-Lambda Americas, Inc.
Быть в наличии
IPB60R040C7ATMA1

IPB60R040C7ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 650V 50A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB50N10S3L16ATMA1

IPB50N10S3L16ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB50N12S3L15ATMA1

IPB50N12S3L15ATMA1

Описание: MOSFET N-CHANNEL_100+

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB60R099C7ATMA1

IPB60R099C7ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 650V 22A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB60R099CPAATMA1

IPB60R099CPAATMA1

Описание: MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB50R250CPATMA1

IPB50R250CPATMA1

Описание: MOSFET N-CH 550V 13A TO-263

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB50R299CPATMA1

IPB50R299CPATMA1

Описание: MOSFET N-CH 550V 12A TO-263

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB60R120C7ATMA1

IPB60R120C7ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 650V 19A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB60R060P7ATMA1

IPB60R060P7ATMA1

Описание: MOSFET N-CH TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB50R199CPATMA1

IPB50R199CPATMA1

Описание: MOSFET N-CH 550V 17A TO-263

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB530N15N3GATMA1

IPB530N15N3GATMA1

Описание: MOSFET N-CH 150V 21A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB60R080P7ATMA1

IPB60R080P7ATMA1

Описание: MOSFET N-CH TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB60R099C6ATMA1

IPB60R099C6ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB60R099CPATMA1

IPB60R099CPATMA1

Описание: MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB48007A050V-001-R

IPB48007A050V-001-R

Описание: DC DC CONVERTER 5V

Производители: TDK-Lambda Americas, Inc.
Быть в наличии
IPB60R099P7ATMA1

IPB60R099P7ATMA1

Описание: MOSFET N-CH TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB50CN10NGATMA1

IPB50CN10NGATMA1

Описание: MOSFET N-CH 100V 20A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти