Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > IPB80N03S4L02ATMA1
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
2040013IPB80N03S4L02ATMA1 Image.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB80N03S4L02ATMA1

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1000+
$0.928
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    IPB80N03S4L02ATMA1
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Модель ECAD
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    2.2V @ 90µA
  • Vgs (макс.)
    ±16V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    PG-TO263-3-2
  • Серии
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.4 mOhm @ 80A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    136W (Tc)
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Другие названия
    IPB80N03S4L-02
    IPB80N03S4L-02-ND
    IPB80N03S4L-02INTR
    IPB80N03S4L-02INTR-ND
    IPB80N03S4L02ATMA1TR
    SP000273282
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    9750pF @ 25V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    140nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    30V
  • Подробное описание
    N-Channel 30V 80A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    80A (Tc)
IPB79CN10N G

IPB79CN10N G

Описание: MOSFET N-CH 100V 13A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB77N06S212ATMA2

IPB77N06S212ATMA2

Описание: MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB77N06S3-09

IPB77N06S3-09

Описание: MOSFET N-CH 55V 77A D2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB70N10S3L12ATMA1

IPB70N10S3L12ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB80N04S204ATMA2

IPB80N04S204ATMA2

Описание: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB80N04S3H4ATMA1

IPB80N04S3H4ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB80N04S2L03ATMA1

IPB80N04S2L03ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB70N10S312ATMA1

IPB70N10S312ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB80N03S4L03ATMA1

IPB80N03S4L03ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB70N10SL16ATMA1

IPB70N10SL16ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB80N04S204ATMA1

IPB80N04S204ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB70N12S311ATMA1

IPB70N12S311ATMA1

Описание: MOSFET N-CHANNEL_100+

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB80N04S303ATMA1

IPB80N04S303ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB80N04S2H4ATMA2

IPB80N04S2H4ATMA2

Описание: MOSFET N-CHANNEL_30/40V

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB80N04S304ATMA1

IPB80N04S304ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB80N04S2H4ATMA1

IPB80N04S2H4ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB77N06S212ATMA1

IPB77N06S212ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB70P04P409ATMA1

IPB70P04P409ATMA1

Описание: MOSFET N-CH TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB80N04S306ATMA1

IPB80N04S306ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB70N12S3L12ATMA1

IPB70N12S3L12ATMA1

Описание: MOSFET N-CHANNEL_100+

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти