Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > IPB80N06S407ATMA1
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
5021048IPB80N06S407ATMA1 Image.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB80N06S407ATMA1

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1000+
$0.585
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    IPB80N06S407ATMA1
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    4V @ 40µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    PG-TO263-3-2
  • Серии
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.1 mOhm @ 80A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    79W (Tc)
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Другие названия
    IPB80N06S4-07
    IPB80N06S4-07-ND
    IPB80N06S407ATMA1TR
    SP000415568
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    4500pF @ 25V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    56nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    60V
  • Подробное описание
    N-Channel 60V 80A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    80A (Tc)
IPB80N08S406ATMA1

IPB80N08S406ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB80N06S4L05ATMA1

IPB80N06S4L05ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB80N06S405ATMA1

IPB80N06S405ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB80N08S207ATMA1

IPB80N08S207ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB80N06S2L11ATMA2

IPB80N06S2L11ATMA2

Описание: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB80N06S3-07

IPB80N06S3-07

Описание: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB80N07S405ATMA1

IPB80N07S405ATMA1

Описание: MOSFET N-CH TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB80N06S2L09ATMA2

IPB80N06S2L09ATMA2

Описание: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB80N06S2L11ATMA1

IPB80N06S2L11ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB80N06S2LH5ATMA4

IPB80N06S2LH5ATMA4

Описание: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB80N06S3-05

IPB80N06S3-05

Описание: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB80N06S407ATMA2

IPB80N06S407ATMA2

Описание: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB80N06S3L-06

IPB80N06S3L-06

Описание: MOSFET N-CH 55V 80A TO-263

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB80N06S405ATMA2

IPB80N06S405ATMA2

Описание: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB80N06S3L-05

IPB80N06S3L-05

Описание: MOSFET N-CH 55V 80A TO-263

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB80N06S4L07ATMA1

IPB80N06S4L07ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB80P03P405ATMA1

IPB80P03P405ATMA1

Описание: MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB80N06S4L07ATMA2

IPB80N06S4L07ATMA2

Описание: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB80N06S4L05ATMA2

IPB80N06S4L05ATMA2

Описание: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB80N08S2L07ATMA1

IPB80N08S2L07ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти